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partie #	Description	fabricant
Haute tension octale d'ULN2803AFWG, transistor à forte intensité de DarliCM GROUPon Transistor Arrays Power Mosfet	Bâti extérieur bipolaire 18-SOP de la rangée 8 NPN DarliCM GROUPon 50V 500mA 1.31W du transistor (BJ	Produit de fabrication
Coupleur optique multicanal de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance faible de CNY74-4H avec la sortie de phototransistor	Optoisolateur Sortie transistor 5300Vrms 4 canaux 16-DIP	Produit de fabrication
ZXMN10A09KTC AMÉLIORATION de N-CANAL de changement de la haute tension 100V de transistor MOSFET de puissance faible de transistor MOSFET de puissance de transistor de transistor MOSFET de puissance	Bâti 2.15W (merci) extérieur du N-canal 100 V 5A (ventres) TO-252-3	Produit de fabrication
Le module de transistor MOSFET de la puissance MRF9030GNR1 actionnent des TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP de PUISSANCE du transistor rf de transistor MOSFET	MOUETTE du transistor MOSFET TO-270-2 de rf	Produit de fabrication
S9012 TO-92 Plastique-encapsulent le transistor MOSFET à haute tension de puissance de transistor MOSFET de puissance faible de transistors	Transistor (BJT) bipolaire PNP 25 V 500 mA 150MHz bâti extérieur SOT-23 de 300 mW	Produit de fabrication
N-CANAL 60V - 0.07ohm de STN3NF06L - transistor de transistor MOSFET de puissance⑩ de transistor MOSFET de PUISSANCE de 4A SOT-223 STripFET II	Bâti SOT-223 de la surface 3.3W (comité technique) du N-canal 60 V 4A (comité technique)	Produit de fabrication
TRANSISTOR de transistor de transistor MOSFET de puissance de module de transistor MOSFET de la puissance STD4NK60ZT4 \| Transistor MOSFET \| N-CANAL \| TO-252AA	Canal N 600 V 4A (Tc) 70W (Tc) Montage en surface DPAK	Produit de fabrication
SI4436DY-T1-E3 transistor MOSFET de changement de puissance faible de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET du N-canal 60-V (D-S)	N-canal 60 V 8A (comité technique) 2.5W (merci), bâti 8-SOIC de la surface 5W (comité technique)	Produit de fabrication
Fournisseur d'or de la Chine IC de l'électronique d'IC de puce de circuit intégré de transistor d'ISL9V3040D3S	Bâti extérieur TO-252AA d'IGBT 430 V 21 A 150 W	Produit de fabrication
Fabricants de puces PASSAGERS des composants IC du PORT USB SUPPERSSORS IC de SN75240PWR		Produit de fabrication
TIP127 transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance à haute tension du silicium PNP DarliCM GROUPon Power Transistors double	Transistor (BJT) bipolaire PNP - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W par le trou TO-220	Produit de fabrication
SI7336ADP-T1-E3 transistor MOSFET à haute tension de puissance de transistor MOSFET de puissance faible de transistor MOSFET du N-canal 30-V (D-S)	N-Channel 30 V 30A (Ta) 5.4W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8	Produit de fabrication
Transistor photovoltaïque de transistor MOSFET de puissance de relais de transistor MOSFET de puissance de PVT312L de puissance microélectronique d'IC	SPST-NO à semi-conducteur (1 forme A) 6-DIP (0,300", 7.62mm)	Produit de fabrication
TRANSISTOR BIPOLAIRE de TRANSISTORS d'usage universel du transistor SOT-23 de transistor MOSFET de puissance de transistor du npn BC817-25 (NPN)	Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 500 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 300 mW	Produit de fabrication
Silicium en plastique PNP DarliCM GROUPons de Medium−Power de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistor de puissance de darliCM GROUPon de npn de BD682G	Transistor (BJT) bipolaire PNP - DarliCM GROUPon 100 V 4 A 40 W par le trou TO-126	Produit de fabrication
NTR1P02LT1G actionnent le transistor MOSFET -20 V, -1,3 A, transistor MOSFET à haute tension de puissance de paquet du P-canal SOT-23		Produit de fabrication
Transistor d'usage universel du transistor NPN de transistor MOSFET de puissance de transistor de puissance de darliCM GROUPon de npn de BC548B	Transistor (BJT) bipolaire NPN 30 V 100 mA 500 mW par le trou TO-92	Produit de fabrication
Transistors complémentaires de MOS de mode de l'amélioration PHC21025 commutant le transistor MOSFET de puissance	Mosfet Array	Produit de fabrication
Transistor MOSFET de changement de puissance de bas VCEsat transistor de PBSS4320T 20 V NPN	Transistor (BJT) bipolaire NPN 20 V 2 un 100MHz bâti extérieur TO-236AB de 540 mW	Produit de fabrication
PBSS5320T, 215 20 V, 3 un transistor MOSFET audio de puissance de bas VCEsat (BISS) transistor de PNP	Transistor (BJT) bipolaire PNP 20 V 2 un 100MHz bâti extérieur TO-236AB de 540 mW	Produit de fabrication
Semi-conducteur intégré électronique de panneau de puce de CAPTEUR RÉSISTIF de MAGNÉTO à 2SS52M	Collecteur ouvert TO-92-3 magnétorésistant de commutateur d'Omnipolar de commutateur numérique	Produit de fabrication
N - La Manche 600 V 2,0 ? Transistor NDD04N60ZT4G de transistor MOSFET de puissance élevée de l'ohm rf	Bâti DPAK de la surface 83W (comité technique) du N-canal 600 V 4.1A (comité technique)	Produit de fabrication
Transistor planaire complémentaire du silicium NPN rf de circuits intégrés de l'électronique de BFQ67W SOT-23	Bâti extérieur SC-70 du transistor NPN 10V 50mA 8GHz 300mW de rf	Produit de fabrication
Temps continu Hall Effect Sensors linéaire quotientométrique de transistor de transistor MOSFET de puissance d'A1302KUA	Hall Effect Sensor Single Axis 3-SIP	Produit de fabrication
Transistors à haute tension de transistor MOSFET de puissance de MMBTA43LT1G, transistors de transistor MOSFET de puissance de rf	Transistor (BJT) bipolaire NPN 200 V 50 mA 50MHz bâti extérieur SOT-23-3 (TO-236) de 225 mW	Produit de fabrication
Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de commutation de MMBT4403LT1G, transistors de puissance de silicium de PNP	Transistor (BJT) bipolaire PNP 40 V 600 mA 200MHz bâti extérieur SOT-23-3 (TO-236) de 300 mW	Produit de fabrication
Puissance élevée de changement de transistor de transistor MOSFET de puissance de MMBT4401LT1G palladium de 225 mW	Transistor (BJT) bipolaire NPN 40 V 600 mA 250MHz bâti extérieur SOT-23-3 (TO-236) de 300 mW	Produit de fabrication
Transistors de puissance complémentaires de transistor MOSFET de double puissance à haute tension de MJD42CG	Transistor (BJT) bipolaire PNP 100 V 6 un bâti 1,75 extérieur de 3MHz W DPAK	Produit de fabrication
Transistor MOSFET complémentaire à haute tension de puissance de MJD41CT4G double pour l'amplificateur d'usage universel	Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 3MHz 1.75 W Surface Mount DPAK	Produit de fabrication
Transistor MOSFET de changement de puissance faible de transistor MOSFET de puissance de transistor à effet de champ de mode d'amélioration du P-canal AO4449	Bâti 3.1W (merci) extérieur du P-canal 30 V 7A (ventres) 8-SOIC	Produit de fabrication
L'électronique d'IC de puce de circuit intégré de transistor de transistor MOSFET de puissance d'IRLR2905TRPBF TO-252	Canal N 55 V 42 A (Tc) 110 W (Tc) Montage en surface D-Pak	Produit de fabrication
Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complémentaire	Transistor (BJT) bipolaire NPN - DarliCM GROUPon 100 V 2 un bâti extérieur DPAK de 25MHz 20 W	Produit de fabrication
Transistor de transistor MOSFET de la puissance MMBF170, N - transistor à effet de champ de mode d'amélioration de la Manche	Bâti 300mW (merci) extérieur du N-canal 60 V 500mA (ventres) SOT-23-3	Produit de fabrication
Thyristors de transistor MOSFET de puissance de haute tension de transistor MOSFET de puissance faible de redresseurs commandés de silicium MCR100-6	Thyristor 0.8A 400V TO92 de THYRISTOR	Produit de fabrication
Les triacs MAC97A6 actionnent l'AMPÈRE RMS du transistor 0,8 de transistor MOSFET 200 - 600 VOLTS	Logique TRIAC - Porte sensible 400 V 600 mA Trou traversant TO-92 (TO-226)	Produit de fabrication
Semi-conducteur intégré par amplificateur d'usage universel BIPOLAIRE du TRANSISTOR de TRANSISTORS de BC807-40 SOT-23 (PNP) PNP	Bipolaire (BJT) Transistor PNP 45 V 500 mA 100 MHz 300 mW Montage en surface SOT-23	Produit de fabrication
Triacs sensibles d'Alternistor de transistor de transistor MOSFET de puissance de porte de triacs du transistor MOSFET IC de la puissance Q6012LH5	TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 12 A par le trou TO-220 a isolé l'étiquette	Produit de fabrication
BFG541 NPN transistors à large bande de transistor MOSFET de puissance des transistors rf de transistor MOSFET de puissance élevée de transistor de 9 gigahertz	Bâti extérieur SC-73 du transistor NPN 15V 120mA 9GHz 650mW de rf	Produit de fabrication
Transistor MOSFET de PowerTrench de P-canal du transistor 30V de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance de fossé de SI4435DY	Bâti 2.5W (merci) extérieur du P-canal 30 V 8.8A (ventres) 8-SOIC	Produit de fabrication
BD912 TO-220 - transistor MOSFET IC de puissance de module de transistor MOSFET de puissance de transistors et de DarliCM GROUPons de puissance	Transistor (BJT) bipolaire PNP 100 V 15 un 3MHz 90 W par le trou TO-220	Produit de fabrication
BD136 transistor MOSFET à haute tension de puissance de transistor MOSFET de puissance faible de transistors de puissance du silicium PNP	Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 1,5 A W 1,25 par le trou SOT-32-3	Produit de fabrication
PETIT transistor MOSFET EXTÉRIEUR IC de puissance de module de transistor MOSFET de puissance de TRANSISTOR de BÂTI du SIGNAL SOT-23 de DDTC123ECA-7-F NPN PRE-BIASED	Transistor bipolaire pré-polarisé (BJT) NPN - Pré-polarisé 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Montage en sur	Produit de fabrication
Transistor d'usage universel du transistor PNP de transistor MOSFET de la puissance BC807-25	Bipolaire (BJT) Transistor PNP 45 V 500 mA 100 MHz 300 mW Montage en surface SOT-23	Produit de fabrication
Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de transistor MOSFET de puissance d'IRLML2402TRPBF HEXFETÂ®	Bâti 540mW (merci) extérieur du N-canal 20 V 1.2A (ventres) Micro3™/SOT-23	Produit de fabrication
Transistor MOSFET d'usage universel de transistor MOSFET de puissance linéaire de transistor MOSFET de la puissance IRFR9214	Canal P 250 V 2,7 A (Tc) 50 W (Tc) Montage en surface D-Pak	Produit de fabrication
MAILLE rapide même IGBT de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance STGB7NC60HDT4	IGBT 600 V 25 A 80 W Montage en surface D2PAK	Produit de fabrication
Conjuguent les transistors FDS4935BZ de puissance élevée de transistor MOSFET de fossé de puissance de 30 volts	Mosfet Array 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC	Produit de fabrication
60V N - transistor MOSFET de changement FDS9945 de puissance de transistor MOSFET de fossé de puissance de la Manche	Bâti extérieur 8-SOIC de la rangée 60V 3.5A 1W de transistor MOSFET	Produit de fabrication
Transistor MOSFET complémentaire de puissance de transistor de transistor MOSFET de puissance de MJE15032G MJE15033G	Transistor (BJT) bipolaire NPN 250 V 8 un 30MHz 50 W par le trou TO-220	Produit de fabrication
La sortie de phototransistor de transistor de transistor MOSFET de puissance de coupleur optique de SFH6206-2T, C.A. a entré la carte IC	Le transistor d'optoisolant a produit 5300Vrms 1 la Manche 4-SMD	Produit de fabrication

57 58 59 60 61

Puce d'IC de mémoire instantanée

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L'ordinateur IC ébrèche

Conducteur ICs de LED

Gestion IC de puissance

Puces de circuits intégrés

Unité de microcontrôleur MCU

Conducteur ICs d'affichage

Module d'alimentation IGBT

L'amplificateur IC ébrèche

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Composants électroniques

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Puces électroniques d'IC

C5750X5R0J107M280KA SMD Ferrite Bead SMD CAP IC d'origine électronique Chine fournisseur de IC

30R250UU POLYFUSE® PTC réinitialisables, carte de circuit intégrée à semi-conducteurs, carte de circuit en silicium

LMK212BJ226MG-T SMD Ferrite Bead EMIFIL Chip Ferrite Bead (taille 1806)

SPW20N60C3FKSA1 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

IRFB11N50APBF Transistor à effet de champ

IRFB3806PBF Transistor à effet de champ

Transistor à effet de champ GBU408 NOUVEAU ET ORIGINAL

VO1400AEFTR Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

Transistor à effet de champ IRFB23N20DPBF NOUVEAU ET ORIGINAL

VS-60CPQ150PBF Transistor à effet de champ Nouveau et original

Haute tension octale d'ULN2803AFWG, transistor à forte intensité de DarliCM GROUPon Transistor Arrays Power Mosfet

Coupleur optique multicanal de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance faible de CNY74-4H avec la sortie de phototransistor

ZXMN10A09KTC AMÉLIORATION de N-CANAL de changement de la haute tension 100V de transistor MOSFET de puissance faible de transistor MOSFET de puissance de transistor de transistor MOSFET de puissance

Le module de transistor MOSFET de la puissance MRF9030GNR1 actionnent des TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP de PUISSANCE du transistor rf de transistor MOSFET

S9012 TO-92 Plastique-encapsulent le transistor MOSFET à haute tension de puissance de transistor MOSFET de puissance faible de transistors

N-CANAL 60V - 0.07ohm de STN3NF06L - transistor de transistor MOSFET de puissance⑩ de transistor MOSFET de PUISSANCE de 4A SOT-223 STripFET II

TRANSISTOR de transistor de transistor MOSFET de puissance de module de transistor MOSFET de la puissance STD4NK60ZT4 | Transistor MOSFET | N-CANAL | TO-252AA

SI4436DY-T1-E3 transistor MOSFET de changement de puissance faible de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET du N-canal 60-V (D-S)

Fournisseur d'or de la Chine IC de l'électronique d'IC de puce de circuit intégré de transistor d'ISL9V3040D3S

Fabricants de puces PASSAGERS des composants IC du PORT USB SUPPERSSORS IC de SN75240PWR

TIP127 transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance à haute tension du silicium PNP DarliCM GROUPon Power Transistors double

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Transistor MOSFET de changement de puissance faible de transistor MOSFET de puissance de transistor à effet de champ de mode d'amélioration du P-canal AO4449

L'électronique d'IC de puce de circuit intégré de transistor de transistor MOSFET de puissance d'IRLR2905TRPBF TO-252

Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complémentaire

Transistor de transistor MOSFET de la puissance MMBF170, N - transistor à effet de champ de mode d'amélioration de la Manche

Thyristors de transistor MOSFET de puissance de haute tension de transistor MOSFET de puissance faible de redresseurs commandés de silicium MCR100-6

Les triacs MAC97A6 actionnent l'AMPÈRE RMS du transistor 0,8 de transistor MOSFET 200 - 600 VOLTS

Semi-conducteur intégré par amplificateur d'usage universel BIPOLAIRE du TRANSISTOR de TRANSISTORS de BC807-40 SOT-23 (PNP) PNP

Triacs sensibles d'Alternistor de transistor de transistor MOSFET de puissance de porte de triacs du transistor MOSFET IC de la puissance Q6012LH5

BFG541 NPN transistors à large bande de transistor MOSFET de puissance des transistors rf de transistor MOSFET de puissance élevée de transistor de 9 gigahertz

Transistor MOSFET de PowerTrench de P-canal du transistor 30V de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance de fossé de SI4435DY

BD912 TO-220 - transistor MOSFET IC de puissance de module de transistor MOSFET de puissance de transistors et de DarliCM GROUPons de puissance

BD136 transistor MOSFET à haute tension de puissance de transistor MOSFET de puissance faible de transistors de puissance du silicium PNP

PETIT transistor MOSFET EXTÉRIEUR IC de puissance de module de transistor MOSFET de puissance de TRANSISTOR de BÂTI du SIGNAL SOT-23 de DDTC123ECA-7-F NPN PRE-BIASED

Transistor d'usage universel du transistor PNP de transistor MOSFET de la puissance BC807-25

Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de transistor MOSFET de puissance d'IRLML2402TRPBF HEXFETÂ®

Transistor MOSFET d'usage universel de transistor MOSFET de puissance linéaire de transistor MOSFET de la puissance IRFR9214