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TIP127 transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance à haute tension du silicium PNP DarliCM GROUPon Power Transistors double

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor (BJT) bipolaire PNP - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W par le trou TO-220
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
tension d'Émetteur-base:
-5 V
Actuel-C.C de collecteur:
-5 A
Actuel-impulsion de collecteur:
-6 A
Actuel-C.C de base:
-125 mA
LA TEMPÉRATURE DE JONCTION:
℃ 150
Point culminant:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introduction

Silicium PNP DarliCM GROUPon Power Transistors TIP125/126/127

DESCRIPTION

·Avec le paquet de TO-220C

·DARLCM GROUPON

·Gain durrent élevé de C.C

·Basse tension de saturation de collecteur

·Complément pour dactylographier TIP120/121/122

APPLICATIONS

·Conçu pour l'amplificateur polyvalent et les applications de changement à vitesse réduite

GOUPILLER

PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collecteur ; relié à monter la base
3 Émetteur 3

BULLETIN DE LA COTE

IRF7832TRPBF 1500 IR 14+ SOP-8
MCR25NG 5776 SUR 11+ TO-220
MC7806ACTG 4444 SUR 12+ TO-220
MCR16NG 5770 SUR 12+ TO-220
BTB06-600SW 3972 St 14+ TO-220
MX25L1606EM2I-12G 5400 MXIC 16+ CONCESSION
HCF4098BEY 3460 St 15+ IMMERSION
74LCX125MX 7500 FAIRCHILD 15+ CONCESSION
24LC01BT-I/SN 3000 PUCE 16+ CONCESSION
IRF7404TR 1500 IR 14+ SOP-8
74LCX16244MTD 7500 FAIRCHILD 15+ TSOP
BC846A 15000 15+ SOT-23
HEF4046BP 1520 14+ IMMERSION
74AC08DR 7500 TI 15+ CONCESSION
HEF4520BP 1520 14+ DIP-16
PIC16F877-20I/PT 4848 PUCE 15+ QFP
OPA452FAKTWT 7880 TI 15+ TO263-7
MC68HC908JL3ECP 3790 FREESCALE 10+ IMMERSION
OPA548T-1 7960 TI 16+ TO-220
3006P-1-102IF 2012 BOSCH 10+ DIP-3
XC3S50-4PQG208C 767 XILINX 14+ QFP208
NTD12N10T4G 4440 SUR 16+ TO-252
MAX3243ECDBR 12000 TI 14+ SSOP
L7912CD2T 3686 St 12+ SOT263
NIF5002NT1G 2300 SUR 16+ SOT-223
NUD4700SNT1G 5180 SUR 13+ SOD-123
LM2984T 500 NSC 16+ ZIP-11
MC1558JGB 6238 TI 13+ IMMERSION
L9165C 3521 St 15+ SO14
PRODUITS CONNEXES
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

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10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

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30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

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22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

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750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

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Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

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N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

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47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123  de barrière de PMEG6010ER 1A

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Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

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Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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MOQ:
20pcs