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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Transistor MOSFET d'usage universel de transistor MOSFET de puissance linéaire de transistor MOSFET de la puissance IRFR9214

Transistor MOSFET d'usage universel de transistor MOSFET de puissance linéaire de transistor MOSFET de la puissance IRFR9214

Transistor MOSFET d'usage universel de transistor MOSFET de puissance linéaire de transistor MOSFET de la puissance IRFR9214
Transistor MOSFET d'usage universel de transistor MOSFET de puissance linéaire de transistor MOSFET de la puissance IRFR9214
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Canal P 250 V 2,7 A (Tc) 50 W (Tc) Montage en surface D-Pak
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
VDS (v):
-250
Le RDS (dessus) (Ω):
VGS = - 10 V /3.0
Qg (maximum) (OR:
14
Qgs (OR):
3,1
Qgd (OR):
6,8
Point culminant:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introduction

BULLETIN DE LA COTE

NC7SZ04M5X 5000 FAIRCHILD 15+ SOT23-5
PCA82C251 5000 12+ SOP-8
PZTA42T1G 5000 SUR 16+ SOT223
RBV5006 5000 EIC 12+ RBV-4
RUEF250 5000 RAYCHEM 16+ IMMERSION
ST3232ECDR 5000 St 16+ SOP-16
SW-289 5000 MA/COM 16+ SOP14
TL072CDR 5000 TI 16+ SOP8
TL7705BCP 5000 TI 16+ SOP8
TPS2041BDBVR 5000 TI 14+ SOT23-5
TPS5430DDAR 5000 TI 16+ SOP8
CTT D'UCLAMP0511P 5000 SEMTECH 16+ MICREL
ULN2003ADRG3 5000 TI 15+ SOP16
SN75C1406N 5002 TI 16+ SOP-16
B340A-13-F 5008 DOIDES 15+ SMA
REG1117-3.3 5008 BB 12+ SOT223
SST25VF032B-80-4I-S2AF 5010 SST 16+ SOP8
TPS79730DCKR 5018 TI 12+ SC70-5
2SC3355 5100 NEC 16+ TO-92
DAC0808LCN 5100 NSC 16+ DIP16
FDS4435 5100 FAIRCHILD 16+ SOP-8
LT1963EST-2.5 5100 LT 16+ SOT-223
X5045P 5100 XICOR 16+ DIP8
DAC7554IDGS 5110 TI 14+ MSOP-10
AM26LV32IDR 5120 TI 16+ SOP16
CS51412EDR8G 5120 SUR 16+ SOP8
LM2940T-12 5120 NS 15+ TO-220
LM6132BIMX 5120 NS 16+ SOP8
RC5057M 5120 FAIRCHILD 15+ SOP16
SN75ALS180DR 5120 TI 12+ SOP-14
UGN3503UA 5120 ALLÉGRO 16+ TO-92
BD241C 5123 FSC 12+ TO-220

IRFR9214

Transistor MOSFET d'usage universel de transistor MOSFET de puissance linéaire de transistor MOSFET de puissance

CARACTÉRISTIQUES

• P-canal

• Bâti extérieur (IRFR9214/SiHFR9214)

• Avance droite (IRFU9214/SiHFU9214)

• Technologie transformatrice avancée

• Commutation rapide

• Entièrement avalanche évaluée

• Disponible sans d'avance (Pb)

DESCRIPTION

Les transistors MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif que les transistors MOSFET de puissance sont bien connus pour, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications. Le DPAK est conçu pour le support extérieur utilisant la phase vapeur, l'infrarouge, ou les techniques de soudure de vague. La version droite d'avance (série d'IRFU/SiHFU) est pour le support d'à travers-trou

applications. Niveaux jusqu'à 1,5 W de dissipation de puissance

soyez possible dans des applications extérieures typiques de bâti.

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