Transistor d'usage universel du transistor NPN de transistor MOSFET de puissance de transistor de puissance de darliCM GROUPon de npn de BC548B
Caractéristiques
Courant de collecteur continu:
mAdc 100
Substrat total d'alumine de dissipation de dispositif, MERCI = 25℃:
625 mW/℃
TJ:
℃ -55 à +150
Tstg:
-55 to +150 ℃
Tension claque d'Émetteur-base:
6 volts continu
Paquet:
TO-92
Point culminant:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introduction
Transistor d'usage universel de NPN
Estimations maximum (TA=25°C sauf indication contraire)
Estimation | Symbole | BC546 | BC547 | BC548 | Unité |
Tension de collecteur-émetteur | VECO | 65 | 45 | 30 | Volts continu |
Tension de collecteur-base | VCBO | 80 | 50 | 30 | Volts continu |
Tension d'Émetteur-base | VEBO | 6 | 6 | 6 | Volts continu |
Courant de collecteur continu | IC | 100 | mAdc |
CARACTÉRISTIQUES THERMIQUES
Caractéristiques | Symbole | Maximum | Unité | |
Substrat total d'alumine de dissipation de dispositif, MERCI = 25℃ |
BC546 BC547 BC548 |
Palladium | 625 | mW/℃ |
Jonction et stockage, la température |
BC546 BC547 BC548 |
TJ, Tstg | -55 à +150 | ℃ |
Dimensions d'ensemble TO-92
Offre courante (vente chaude)
Numéro de la pièce. | Q'ty | MFG | D/C | Paquet |
PMBF4391 | 20000 | 12+ | SOT-23 | |
M21L216128A-10T | 4738 | ESMT | 16+ | TSOP |
LM308N | 1000 | NSC | 15+ | DIP-8 |
LTM8027IV#PBF | 1112 | LT | 15+ | LGA |
LM2936Z-5.0 | 4543 | NSC | 14+ | TO-92 |
MC9S08GT8ACFBE | 4582 | FREESCALE | 10+ | QFP |
MC68HC908MR16CFU | 3802 | FREESCALE | 10+ | QFP |
LP2983AIM5-1.2 | 30000 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
LM317AT/NOPB | 2486 | TI | 13+ | TO-220 |
LTC1386CS#TRPBF | 5274 | LT | 15+ | CONCESSION |
MSD42SWT1G | 25000 | SUR | 16+ | SOT-323 |
6MBP30RH060 | 493 | FUJI | 16+ | MODULE |
MMBT6517LT1G | 20000 | SUR | 16+ | SOT-23 |
NY24W-K | 5400 | FUJITSU | 16+ | IMMERSION |
MMSZ9V1T1 | 20000 | SUR | 16+ | SOD-123 |
LTC1383CS#PBF | 5230 | LINÉAIRE | 14+ | CONCESSION |
CSR1010A05-IQQM-R | 2146 | CSR | 15+ | QFN32 |
LM833DT | 10000 | St | 14+ | SOP-8 |
MRMS301A | 10000 | NEC | 16+ | SOT-323 |
LM747CN | 2234 | NSC | 14+ | DIP-14 |
PIC18F4520-I/P | 4473 | PUCE | 16+ | QFP |
PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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Courant:
MOQ:
10pcs