| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ |
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Le pont redresseur de Schottky de diode de redresseur STPS2150 ACTIONNENT LE REDRESSEUR de SCHOTTKY
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Diode 150 V 2A par le trou DO-15
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Produit de fabrication
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Régulateur de protection de surtension de diode de redresseur de LT4356CMS-1#TRPBF et limiteur d'irruption
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Produit de fabrication
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BZX84C2V7 350 circuits intégrés populaires de diodes Zener planaires de silicium de bâti de surface de mW
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Bâti extérieur SOT-23 de la diode Zener 2,7 V 350 mW ±7.41%
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Produit de fabrication
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Circuits intégrés populaires de diodes Zener de silicium de diode de redresseur TZM5239B-GS08
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Diode ZenerZener 9,1 V 500 mW ±5 % Montage en surface SOD-80 MiniMELF Diode 9,1 V 500 mW ±5 % Montag
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Produit de fabrication
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PESD3V3L5UF, 115 rangées quintuples unidirectionnelles de diode de protection d'ESD de basse capacité de diode de redresseur
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12V bâti extérieur 6-XSON, SOT886 (1.45x1) de diode de la bride 2.5A (8/20µs) PIP TV
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Produit de fabrication
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Diodes Zener planaires du silicium 1N4758A-TAP pour la puce électronique stabilisée de l'alimentation d'énergie IC
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Diode Zener 56 V 1,3 W ±5% par le trou DO-204AL (DO-41)
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Produit de fabrication
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Transistors de puissance d'essai de transistor MOSFET de puissance d'IRF7424TRPBF HEXFET
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Canal P 30 V 11 A (Ta) 2,5 W (Ta) Montage en surface 8-SO
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Produit de fabrication
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Mode 30V d'amélioration de N-canal du transistor à effet de champ AO3400A
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Produit de fabrication
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N-canal To-92 FSC courant original de transistor de transistor MOSFET de la puissance 2N5459
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N-canal 25 V 625 mW de JFET par le trou TO-92-3
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Produit de fabrication
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Les redresseurs commandés de silicium 2N6405G renversent bloquer des thyristors 50 800 VOLTS
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Thyristor 800 V 16 une récupération standard par le trou TO-220AB
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Produit de fabrication
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Circuits intégrés d'usage universel de l'électronique de transistor de BC817-25LT1G NPN
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Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 500 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23-3 (TO-236) de 300 mW
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Produit de fabrication
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Doubles composants de l'électronique de silicium du transistor NPN de transistor MOSFET de puissance de BC847A
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Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 100 mA 300MHz bâti extérieur SOT-23-3 (TO-236) de 250 mW
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Produit de fabrication
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Transistors d'usage universel NPN IC électrique de silicium de BC846B
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Transistor bipolaire (BJT) NPN 65 V 100 mA 300 MHz 350 mW Montage en surface SOT-23-3
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Produit de fabrication
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Amplificateur d'usage universel du transistor KSP2907 ATA Equivalent PNP de transistor MOSFET de puissance
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Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 600 mA 200MHz 625 mW par le trou TO-92-3
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Produit de fabrication
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Transistor d'usage universel de KSP2907ATF
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Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 600 mA 200MHz 625 mW par le trou TO-92-3
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Produit de fabrication
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Le transistor linéaire 2N5458 JFETs de transistor MOSFET de puissance a mené des puces d'IC de télévisions
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N-canal 25 V 310 mW de JFET par le trou TO-92 (TO-226)
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Produit de fabrication
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Mode BSP315 SIPMOS d'amélioration de la Manche du transistor P de transistor MOSFET de puissance de signal
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Bâti extérieur SOT-223 du P-canal 50 V 1A 1.8W
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Produit de fabrication
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Porte sensible de puissance de transistor MOSFET du transistor BT136-600E de triacs complémentaires de thyristor
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Logique de TRIAC - porte sensible 600 V 4 A par le trou TO-220AB
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Produit de fabrication
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Commutation de BD681 NPN DarliCM GROUPon Power Transistors Medium Power
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Transistor (BJT) bipolaire NPN - DarliCM GROUPon 100 V 4 A 40 W par le trou SOT-32-3
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Produit de fabrication
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Série d'usage universel du commutateur BTA41-600BRG 40A BTA de rhéostat de triac de courant alternatif
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Norme 600 V 40 A de TRIAC par le trou TOP3
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Produit de fabrication
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TRIACS à haute tension du transistor BTA16-600BRG 16A de transistor MOSFET de puissance BTA/BTB 16
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Norme 600 V 16 A de TRIAC par le trou TO-220
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de N-canal de transistor de transistor MOSFET de puissance d'AO3400A
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Bâti 1.4W (merci) extérieur du N-canal 30 V 5.7A (ventres) SOT-23-3
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Produit de fabrication
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Commutation rapide de transistor de transistor MOSFET de puissance du troisième génération HEXFET IRFBC40PBF
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N-canal 600 V 6.2A (comité technique) 125W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Produit de fabrication
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Très réduit sur le transistor MOSFET IC IRLML6402TRPBF de puissance de la résistance HEXFET
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Bâti 1.3W (merci) extérieur du P-canal 20 V 3.7A (ventres) Micro3™/SOT-23
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Produit de fabrication
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Transistor de transistor MOSFET de puissance de HEXFET, module IRF7329TRPBF de transistor MOSFET de puissance
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Bâti extérieur 8-SO de la rangée 12V 9.2A 2W de transistor MOSFET
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Produit de fabrication
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Le C.A. a entré le transistor composant H11AA1M de l'électronique de coupleurs optiques de phototransistor
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Transistor d'optoisolant avec la Manche basse 6-DIP de la sortie 4170Vrms 1
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Produit de fabrication
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Transistors de puissance planaires épitaxiaux de silicium de PNP/NPN 2SC5707 pour la commutation à forte intensité
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Transistor (BJT) bipolaire NPN 50 V 8 un bâti extérieur TP-FA de 330MHz 1 W
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Produit de fabrication
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transistor FDV305N de transistor MOSFET de puissance de PowerTrench du N-canal 20V
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Bâti 350mW (merci) extérieur du N-canal 20 V 900mA (ventres) SOT-23-3
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Produit de fabrication
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Application de changement d'usage universel BC856BLT3G de transistor de silicium de PNP
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Transistor bipolaire (BJT) PNP 65 V 100 mA 100 MHz 300 mW Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
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Produit de fabrication
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Transistor (Npn) pour des applications générales d'Af, courant de collecteur élevé Bc817-40
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Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 500 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 300 mW
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Produit de fabrication
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Puissance complémentaire Ttransistors BD139 de silicium
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Transistor (BJT) bipolaire NPN 80 V 1,5 A W 1,25 par le trou SOT-32-3
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Produit de fabrication
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Basse résistance thermique 100 transistors MOSFET CSD19533Q5A de puissance de NexFET de N-canal de V
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N-canal 100 V 100A (ventres) 3.2W (merci), 96W (comité technique) bâti 8-VSONP (5x6) de la surface
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Produit de fabrication
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transistor MOSFET FDV305N de PowerTrench de N-canal de transistor de transistor MOSFET de la puissance 20V
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Bâti 350mW (merci) extérieur du N-canal 20 V 900mA (ventres) SOT-23-3
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Produit de fabrication
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100V 80A, transistor de transistor MOSFET de la puissance 9mз qualifié à la capacité FDB3632 de l'AEC Q101 UIS
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N-canal 100 V 12A (ventres), 80A (comité technique) 310W (comité technique) ² PAK (TO-263) du bâti D
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Produit de fabrication
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Le verre monophasé a passivé le pont redresseur les ponts redresseurs passivés en verre de 25,0 ampères GBJ2510
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Norme monophasé de pont redresseur 1 kilovolt par le trou GBJ
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Produit de fabrication
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8 un transistor mou ultra-rapide HFA08TB60 de transistor MOSFET de puissance de diode de récupération de HEXFRED
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Diode 600 V 8A Traversant TO-220AC
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Produit de fabrication
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Porte sensible BT134W-600E, condensateur en céramique de triacs de smd modèle de perle de ferrite 115
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Logique de TRIAC - bâti extérieur sensible SC-73 de la porte 600 V 1 A
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Produit de fabrication
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Transistor sensible de porte de triacs de BT139-800E 1 IC original Chip Power Tran sur l'offre d'actions de téléphone de TV
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Logique de TRIAC - porte sensible 800 V 16 A par le trou TO-220AB
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Produit de fabrication
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Nouveau et original transistor IRLR8729TRPBF de transistor MOSFET de puissance de HEXFET
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Bâti D-PAK de la surface 55W (comité technique) du N-canal 30 V 58A (comité technique)
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Produit de fabrication
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GaAs Ired de transistor de transistor MOSFET de la puissance TLP734 nouvelle et originale et transistor de photo
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Le transistor d'optoisolant a produit 4000Vrms 1 la Manche 6-DIP
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Produit de fabrication
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Transistor MOSFET de puissance de transistor de transistor MOSFET de puissance de BSS138LT1G 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23
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Bâti 225mW (merci) extérieur du N-canal 50 V 200mA (ventres) SOT-23-3 (TO-236)
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Produit de fabrication
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Transistor NPN de transistor MOSFET de la puissance BFR520 transistor à large bande de 9 gigahertz
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Bâti extérieur SC-75 du transistor NPN 15V 70mA 9GHz 150mW de rf
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Produit de fabrication
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L'avance à forte intensité de transistor de transistor MOSFET de la puissance MR756 a monté des redresseurs
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Diode 600 V 6A
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Produit de fabrication
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Nouveau et original transistor de transistor MOSFET de puissance de STA434A PNP + NPN DarliCM GROUPon H - pont
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Rangée bipolaire 2 NPN, 2 PNP DarliCM GROUPon (H-pont) 60V 4A 4W du transistor (BJT) par le trou 10-
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Produit de fabrication
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Transistors P de transistor MOSFET de la puissance SI2301CDS-T1-E3 élevée - transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S)
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P-canal 20 V 3.1A (comité technique) 860mW (merci), 1.6W (comité technique) bâti SOT-23-3 (TO-236) d
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Produit de fabrication
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Transistor de transistor MOSFET de la puissance PMBT2222AYS115, transistor MOSFET de changement de puissance de PHILIPS NPN
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Matrice de transistors bipolaires (BJT)
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Produit de fabrication
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Diode molle ultra-rapide de récupération de transistor de transistor MOSFET de la puissance 60APU06, 60 un FRED PtTM
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Diode 600 V 60A par le trou TO-247AC
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Produit de fabrication
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Circuits intégrés de l'électronique de BC847B IC, transistor MOSFET d'usage universel 45V
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Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
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Produit de fabrication
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Transistor à large bande d'usage universel du transistor NPN 7GHz de transistor MOSFET de puissance de transistor du npn BFG135
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Bâti extérieur SC-73 du transistor NPN 15V 150mA 7GHz 1W de rf
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Produit de fabrication
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TRANSISTOR BIPOLAIRE de TRANSISTORS d'usage universel du transistor SOT-23 de transistor MOSFET de puissance de transistor de npn de BC847C
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Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 100 mA 300MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
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Produit de fabrication
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