GaAs Ired de transistor de transistor MOSFET de la puissance TLP734 nouvelle et originale et transistor de photo
power mosfet ic
,silicon power transistors
Photocoupleur GaAs Ired&Photo−Transistor de TOSHIBA
TLP733, TLP734
Équipement de bureau
Équipement d'utilisation de ménage
Relais à semi-conducteur
Alimentation d'énergie de changement
TOSHIBA TLP733 et TLP734 se composent d'un photo−transistor optiquement couplé à une diode émetteuse d'infrarouge d'arséniure de gallium dans de l'IMMERSION en plastique six avances.
TLP734 est connexion interne de no−base pour des environnements de high−EMI.
- Tension de Collector−emitter : 55 V (mn) ?
- Rapport de transfert courant : 50% (mn)
- Grade gigaoctet : 100% (mn) ?
- L'UL a reconnu : UL1577, no. E67349 de dossier ?
- Le BSI a approuvé : LES BS EN60065 : 1994
- No. 7364 de certificat
- LES BS EN60950 : 1992
- No. 7365 de certificat ?
- SEMKO a approuvé : SS4330784
- No. 9325163, 9522142 de certificat ?
- Tension d'isolement : 4000 Vrms (mn) ?
- Type de l'option (D4)
- Le VDE a approuvé : DIN VDE0884/06,92,
- No. 74286, 91808 de certificat
- Tension fonctionnante maximum d'isolation : 630, 890 VPK
- Le plus haut permis au-dessus de la tension : 6000, 8000 VPK
- Le VDE a approuvé : DIN VDE0884/06,92,
(Note) quand un VDE0884 a approuvé le type est nécessaire, indiquent svp la « option (D4) »
lancement de 7,62 millimètres lancement de 10,16 millimètres
de type courant Type de TLP×××F ?
Ligne de fuite : 7,0 millimètres (mn) 8,0 millimètres (mn)
Dégagement : 7,0 millimètres (mn) 8,0 millimètres (mn)
Chemin interne d'ascension : 4,0 millimètres (mn) 4,0 millimètres (mn)
Épaisseur d'isolation : 0,5 millimètres (mn) 0,5 millimètres (mn)
Estimations maximum (merci = 25°C)
| Caractéristique | Symbole | Estimation | Unité | |
| LED | Courant en avant | SI | 60 | mA |
| Sous-sollicitation actuelle en avant (≥ de ventres 39°C) | ∆IF/°C | ? -0,7 | mA/°C | |
| Crête en avant actuelle (impulsion de 100 µs, 100 PPS) | IFP | 1 | ||
| Tension inverse | VR | 5 | V | |
| La température de jonction | Tj | 125 | °C | |
| Détecteur | Collecteur ? tension d'émetteur | VCEO | 55 | V |
| Collecteur ? tension basse (TLP733) | VCBO | 80 | V | |
| Émetteur ? tension de collecteur | VECO | 7 | V | |
| Émetteur ? tension basse (TLP733) | VEBO | 7 | V | |
| Courant de collecteur | IC | 50 | mA | |
| Dissipation de puissance | PC | 150 | mW | |
| Dissipation de puissance sous-sollicitant (≥ de ventres 25°C) | ∆PC/°C | -1,5 | mW/°C | |
| La température de jonction | Tj | 125 | °C | |
| Température ambiante de température de stockage | Tstg | - ? 55~125 | °C | |
| Gamme de température de fonctionnement | Topr | ? -40~100 | °C | |
| La température de soudure d'avance (10 s) | Tsol | 260 | °C | |
| Dissipation de puissance totale de paquet | Pinte | 250 | mW | |
| Dissipation de puissance totale de paquet sous-sollicitant (≥ de ventres 25°C) | ∆PT/°C | -2,5 | mW/°C | |
| Tension d'isolement (C.A., 1 mn, R.H.≤ 60%) | BVS | 4000 | Vrms | |
Poids : 0,42 g
Pin Configurations (vue supérieure)
TLP733
1 : Anode 2 : Cathode 3 : OR 4 : Émetteur 5 : Collecteur 6 : Base
TLP734
1 : Anode 2 : Cathode 3 : OR 4 : Émetteur 5 : Collecteur 6 : OR
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC