Mode BSP315 SIPMOS d'amélioration de la Manche du transistor P de transistor MOSFET de puissance de signal
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bâti extérieur SOT-223 du P-canal 50 V 1A 1.8W
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Ligne principale:
IC, module, transistor, diodes, condensateur, résistance etc.
Caractéristiques:
Canal de P
Features2:
Mode d'amélioration
Features3:
• Niveau de logique
Features4:
VGS (Th) = -0,8… - 2,0 V
Paquet:
SOT-23
Point culminant:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introduction
Mode BSP315 SIPMOS d'amélioration de la Manche du transistor P de transistor MOSFET de puissance de signal
• Canal de P
• Mode d'amélioration
• Niveau de logique
• VGS (Th) = -0,8… - 2,0 V
tension claque de Drain-source V (BR) SAD = ƒ (Tj)
Impédance thermique passagère Zth JA = paramètre du ƒ (tp) : D = tp/T
Estimations maximum
| Paramètre | Symbole | Valeurs | Unité |
| Vidangez la tension de source | VDS | -50 | V |
|
tension de Drain-porte RGS = kΩ 20 |
VDGR | -50 | |
| Tension de source de porte | VGS | ± 20 | |
|
Courant continu de drain VENTRES = °C 39 |
Identification | -1,1 | |
|
Drain de C.C actuel, VENTRES pulsés = °C 25 |
IDpuls | -4,4 | |
|
Dissipation de puissance VENTRES = °C 25 |
Ptot | 1,8 | W |
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Courant:
MOQ:
20pcs