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Transistor d'usage universel de KSP2907ATF

Transistor d'usage universel de KSP2907ATF
Transistor d'usage universel de KSP2907ATF
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 600 mA 200MHz 625 mW par le trou TO-92-3
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Payapl
Caractéristiques
Tension de collecteur-base:
-60 V
Tension de collecteur-émetteur:
-60 V
tension d'Émetteur-base:
-5 V
Courant de collecteur:
-600 mA
Dissipation de puissance de collecteur:
625 mW
LA TEMPÉRATURE DE JONCTION:
150 °C
Température de stockage:
-55 | °C 150
Point culminant:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introduction

KSP2907A

Transistor d'usage universel

• Tension de collecteur-émetteur : VCEO= 60V

• Dissipation de puissance de collecteur : PC =625mW (maximum)

• Référez-vous à KSP2907 pour des graphiques

Transistor épitaxial de silicium de PNP

Capacités absolues Ta=25°C sauf indication contraire

Unités de valeur de paramètre de symbole

Tension de collecteur-base de VCBO -60 V

Tension de collecteur-émetteur de VCEO -60 V

Tension -5 V d'Émetteur-base de VEBO

Courant de collecteur d'IC -600 mA

Dissipation de puissance de collecteur de PC 625 mW

Température de stockage -55 | du °C TSTG de la température de jonction de TJ 150 °C 150

DÉNI DE RESPONSABILITÉ

LE SEMI-CONDUCTEUR DE FAIRCHILD SE RÉSERVE LE DROIT D'APPORTER DES MODIFICATIONS SANS PRÉAVIS À TOUS LES PRODUITS CI-DESSUS POUR AMÉLIORER LA FIABILITÉ, LA FONCTION OU LA CONCEPTION. FAIRCHILD N'ASSUME AUCUNE RESPONSABILITÉ PROVENANT DE L'APPLICATION OU DE L'UTILISATION D'AUCUN PRODUIT OU CIRCUIT DÉCRIT CI-DESSUS ; NI L'UN NI L'AUTRE NE FAIT LE SERVICE INFORMATIQUE POUR TRANSPORTER N'IMPORTE QUEL PERMIS SOUS SES PROPRIÉTÉS INDUSTRIELLES, NI LES DROITS DE D'AUTRES.

POLITIQUE D'ASSISTANCE VITALE

LES PRODUITS DE FAIRCHILD NE SONT PAS AUTORISÉS POUR L'USAGE EN TANT QUE LES COMPOSANTS CRITIQUES DANS DES DISPOSITIFS D'ASSISTANCE VITALE OU SYSTÈMES SANS APPROBATION ÉCRITE EXPRÈS DE FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.

Symbole Paramètre Valeur Unités
VCBO Tension de collecteur-base -60 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur -60 V
VEBO Tension d'Émetteur-base -5 V
IC Courant de collecteur -600 mA
PC Dissipation de puissance de collecteur 625 mW
TJ La température de jonction 150 °C
TSTG Température de stockage -55 °C

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