Nouveau et original transistor IRLR8729TRPBF de transistor MOSFET de puissance de HEXFET
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bâti D-PAK de la surface 55W (comité technique) du N-canal 30 V 58A (comité technique)
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
VDSS:
30V
Le RDS (dessus) maximum:
8.9mΩ
Qg:
10nC
G ; D ; S:
Porte ; Drain ; Source
Tension de Drain-à-source:
30V
Tension de Porte-à-source:
± 20 V
Point culminant:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introduction
Applications ?
• Mâle synchrone à haute fréquence
Convertisseurs pour la puissance de processeur d'ordinateur ?
• DC-DC d'isolement à haute fréquence
Convertisseurs avec la rectification synchrone
pour des télécom et l'usage industriel
Avantages ?
• Le bas RDS même (dessus) à 4.5V VGS ?
• Impédance très réduite de porte ?
• Tension d'avalanche entièrement caractérisée
et actuel ?
• Sans plomb ?
• RoHS conforme
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MOQ:
10pcs