Transistor de transistor MOSFET de la puissance PMBT2222AYS115, transistor MOSFET de changement de puissance de PHILIPS NPN
power mosfet ic
,silicon power transistors
Transistors de commutation de NPN
CARACTÉRISTIQUES
• À forte intensité (maximum 600 mA)
• Basse tension (maximum 40 V).
APPLICATIONS
• Commutation et amplification linéaire.
DESCRIPTION
Transistor de commutation de NPN dans un paquet SOT23 en plastique. PNP complète : PMBT2907 et PMBT2907A.
INSCRIPTION
| TYPE NOMBRE | CODE DE REPÉRAGE (1) |
| PMBT2222 | *1B |
| PMBT2222A | *1P |
DÉNIS DE RESPONSABILITÉ
Généralités
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0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC