Transistor (Npn) pour des applications générales d'Af, courant de collecteur élevé Bc817-40
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Transistor d'AF de silicium de NPN
• Pour des applications générales d'AF
• Courant de collecteur élevé
• Gain à forte intensité
• Basse tension de saturation de collecteur-émetteur
• Types complémentaires : BC807… /W, BC808… /W (PNP)
• (RoHS conforme) package1 sans Pb)
• Qualifié accordant l'AEC Q101
ESTIMATIONS MAXIMUM (TA=25℃ sauf indication contraire)
Symbole | Paramètre | Valeur | Unités |
VCBO | Tension de collecteur-base | 50 | V |
VCEO | Tension de collecteur-émetteur | 45 | V |
VEBO | Tension d'Émetteur-base | 5 | V |
IC | Courant de collecteur - continu | 0,5 | |
PC | Dissipation de puissance de collecteur | 0,3 | W |
Tj | La température de jonction | 150 | ℃ |
Tstg | Température de stockage | -55-150 | ℃ |
Caractéristiques typiques