Doubles composants de l'électronique de silicium du transistor NPN de transistor MOSFET de puissance de BC847A
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Doubles composants de l'électronique de silicium du transistor NPN de transistor MOSFET de puissance de BC847A
Série BC847ALT1
Silicium d'usage universel des transistors NPN
CARACTÉRISTIQUES
• Les paquets de Pb−Free sont disponibles
• Niveau de sensibilité d'humidité : 1
• Modèle de corps humain de − d'estimation d'ESD : Estimation de >4000 V ESD
Modèle de machine de − : >400 V
ESTIMATIONS MAXIMUM
Unité de évaluation de valeur de symbole
Tension de collecteur-émetteur BC846 BC847, BC850 BC848, BC849 VCEO 65 45 30 volts continu
Tension BC846 BC847, BC850 BC848, BC849 VCBO 80 de Collector−Base 50 30 volts continu
Tension BC846 BC847, BC850 BC848, BC849 VEBO 6,0 d'Emitter−Base 6,0 5,0 volts continu
MAdc continu d'IC 100 de − de courant de collecteur
Les estimations maximum sont ces valeurs au delà de quels dommages de dispositif peuvent se produire. Les estimations maximum ont appliqué au dispositif sont différentes valeurs limites d'effort (fonctionnement non normal) et sont invalides simultanément. Si ces limites sont dépassées, l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée, les dommages peuvent se produire et la fiabilité peut être affectée.
CARACTÉRISTIQUES THERMIQUES
Symbole caractéristique Max Unit
Conseil total de la dissipation FR−5 de dispositif, (notez 1) les VENTRES = le 25°C sous-sollicitent au-dessus 25°C du palladium 225 1,8 mW mW/°C
Résistance thermique, Junction−to−Ambient (note 1) RJA 556 °C/W
Substrat total d'alumine de dissipation de dispositif (VENTRES de note 2) = 25°C sous-sollicitent au-dessus 25°C du palladium 300 2,4 mW mW/°C
Résistance thermique, Junction−to−Ambient (note 2) RJA 417 °C/W
Température ambiante TJ, Tstg −55 de jonction et de température de stockage au °C +150
1. FR−5 = 1,0 ? 0,75 ? 0,062 po.
2. Alumine = 0,4 ? 0,3 ? 0,024 en alumine 99,5%.
Inscription
| TYPE NOMBRE | Code de repérage | TYPE NOMBRE | Code de repérage |
| BC846 | 1D∗ | BC847A | 1E* |
| BC846A | 1A∗ | BC847B | 1F* |
| BC846B | 1B∗ | BC847C | 1G* |
| BC847 | 1H* |
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
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