Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de N-canal de transistor de transistor MOSFET de puissance d'AO3400A
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bâti 1.4W (merci) extérieur du N-canal 30 V 5.7A (ventres) SOT-23-3
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Payapl
Caractéristiques
Tension de Drain-source:
30V
Tension de Porte-source:
±12 V
Drain pulsé B actuel:
25 A
Drain continu:
TA=25°C
Température ambiante de jonction et de température de stockage:
-55 à 150°C
Point culminant:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introduction
AO3400A
Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de N-canal
Description générale
L'AO3400A emploie la technologie avancée de fossé pour fournir l'excellent RDS (DESSUS) et la basse charge de porte. Ce dispositif convient pour l'usage comme commutateur de charge ou dans des applications de PWM. Le produit standard AO3400A est sans Pb (rassemblements ROHS et Sony 259 caractéristiques).
Caractéristiques
VDS (v) = 30V
Identification = 5.7A (VGS = 10V)
LE RDS (DESSUS) < 26="">
LE RDS (DESSUS) < 32m="">
LE RDS (DESSUS) < 48m="">
| Caractéristiques thermiques | |||||
| Paramètre | Symbole | Type | Maximum | Unités | |
| A Jonction-à-ambiant maximum | ≤ 10s de t | RθJA | 70 | 90 | °C/W |
| A Jonction-à-ambiant maximum | Équilibré | 100 | 125 | °C/W | |
| Jonction-à-avance maximum C | Équilibré | RθJL | 63 | 80 | °C/W |
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Courant:
MOQ:
100pcs