Amplificateur d'usage universel du transistor KSP2907 ATA Equivalent PNP de transistor MOSFET de puissance
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 600 mA 200MHz 625 mW par le trou TO-92-3
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Features2:
• Dissipation de puissance de collecteur : PC =625mW (maximum)
Caractéristiques:
• Tension de collecteur-émetteur : VCEO= 60V
Features3:
• Suffixe « - C » signifie un collecteur central (1.Emitter 2.Collector 3.Base)
Features4:
• Non suffixe « - C » signifie un collecteur latéral (1.Emitter 2.Base 3.Collector)
Features5:
• Disponible comme PN2907A
Point culminant:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introduction
Amplificateur équivalent d'usage universel du transistor KSP2907A PNP de transistor MOSFET de puissance
Caractéristiques
• Tension de collecteur-émetteur : VCEO= 60V
• Dissipation de puissance de collecteur : PC =625mW (maximum)
• Suffixe « - C » signifie un collecteur central (1.Emitter 2.Collector 3.Base)
• Non suffixe « - C » signifie un collecteur latéral (1.Emitter 2.Base 3.Collector)
• Disponible comme PN2907A
Capacités absolues * merci = 25°C sauf indication contraire
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unités |
| VCBO | Tension de collecteur-base | -60 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | -60 | V |
| VEBO | Tension d'Émetteur-base | -5 | V |
| IC | Courant de collecteur | -600 | mA |
| TJ | La température de jonction | +150 | °C |
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Courant:
MOQ:
20