Transistor NPN de transistor MOSFET de la puissance BFR520 transistor à large bande de 9 gigahertz
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bâti extérieur SC-75 du transistor NPN 15V 70mA 9GHz 150mW de rf
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension de collecteur-base:
20 V
Tension de collecteur-émetteur:
15 V
Courant de collecteur de C.C:
70 mA
Dissipation de puissance totale:
300mW
capacité de retour:
0,4 PF
Point culminant:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introduction
NPN transistor à large bande de 9 gigahertz BFR520
CARACTÉRISTIQUES
• Gain de puissance élevée
• Figure à faible bruit
• Haute fréquence de transition
• La métallisation d'or assure l'excellente fiabilité.
DESCRIPTION
Le BFR520 est un transistor épitaxial planaire de silicium de npn, destiné aux applications dans le rf d'entrée dans des applications à large bande dans la chaîne de gigahertz, telle que les téléphones cellulaires analogues et numériques, les téléphones sans fil (CT1, CT2, DECT, etc.), les détecteurs de radar, les bipeurs et les tuners de télévision par satellite (SATV) et les amplificateurs de répétiteur dans les systèmes à fibres optiques. Le transistor est encapsulé sous enveloppe SOT23 en plastique
VALEURS LIMITES
Selon le système maximum absolu (le CEI 134).
| SYMBOLE | PARAMÈTRE | CONDITIONS | Mn. | MAXIMUM. | UNITÉ |
| VCBO | tension de collecteur-base | émetteur ouvert | − | 20 | V |
| VCES | tension de collecteur-émetteur | RBE = 0 | − | 15 | V |
| VEBO | tension d'émetteur-base | collecteur ouvert | − | 2,5 | V |
| C.C DE C | courant de collecteur | − | 70 | mA | |
| Ptot | dissipation de puissance totale | jusqu'à solides totaux = °C 97 ; note 1 | − | 300 | mW |
| Tstg | température de stockage | −65 | 150 | °C |
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MOQ:
20pcs