Puissance complémentaire Ttransistors BD139 de silicium
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor (BJT) bipolaire NPN 80 V 1,5 A W 1,25 par le trou SOT-32-3
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension de collecteur-base:
80V
Tension de collecteur-émetteur:
80V
tension d'Émetteur-base:
5V
Courant de collecteur:
1.5A
Point culminant:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introduction
Puissance complémentaire Ttransistors BD139/BD140 de silicium
DESCRIPTION
Il intented pour l'usage dans l'amplificateur de puissance et les applications de changement.
| Paramètre | l | Valeur | Unité |
| Tension de collecteur-base | VCBO | 80 | V |
| Tension de collecteur-émetteur | VCEO | 80 | V |
| Tension d'Émetteur-base | VEBO | 5 | V |
| Courant de collecteur | IC | 1,5 | |
| Courant bas | IB | 0,5 | |
| Dissipation totale à | Ptot | 12,5 | W |
| La température de jonction de Max. Operating | Tj | 150 | OC |
| Température de stockage | Tstg | -55~150oC | OC |
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Mn. | Type. | Maximum. | Unité |
| Courant de coupure de collecteur | ICEO | VCB =80V, IE =0 | -- | -- | 10 | uA |
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB =5V, IC =0 | -- | -- | 10 | uA |
| Tension soutenante de collecteur-émetteur | VCEO | IC =30MA, IB =0 | 80 | -- | -- | V |
| Gain actuel de C.C |
hFE (1) hFE (2) |
VCE =2V, IC =0.5A VCE =2V, IC =150MA |
25 40 |
-- -- |
-- 250 |
|
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (s'est reposé) | IC =0.5A, IB =50MA | -- | -- | 0,5 | V |
| Tension de saturation d'émetteur de base | VBE (s'est reposé) | VCE =2V, IC =0.5A | -- | -- | 1,0 | V |
| Produit de largeur de bande de gain actuel | pi | VCE =10V, IC =500MA | 3 | -- | -- | Mégahertz |
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MOQ:
20