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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Transistor MOSFET de puissance de transistor de transistor MOSFET de puissance de BSS138LT1G 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23

Transistor MOSFET de puissance de transistor de transistor MOSFET de puissance de BSS138LT1G 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23

Transistor MOSFET de puissance de transistor de transistor MOSFET de puissance de BSS138LT1G 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23
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Transistor MOSFET de puissance de transistor de transistor MOSFET de puissance de BSS138LT1G 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bâti 225mW (merci) extérieur du N-canal 50 V 200mA (ventres) SOT-23-3 (TO-236)
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
VDSS:
50 VOLTS CONTINU
Vgs:
± 20 volts continu
JE D:
200 mA
Palladium:
225mW
TL:
°C 260
Point culminant:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduction

Transistor MOSFET de puissance 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23

Les applications typiques sont les convertisseurs de DC−DC, gestion de puissance dans les produits portatifs et battery−powered les téléphones tels que des ordinateurs, des imprimantes, de PCMCIA cartes, cellulaires et sans fil.

Caractéristiques

• Les paquets de Pb−Free sont disponibles

• Basse tension de seuil (VGS (Th) :

0,5 V−1.5 V) le rendent idéal pour des applications de basse tension

• Le paquet extérieur miniature du bâti SOT−23 ménage de l'espace de conseil

NOTES :

1. CALCUL DES DIMENSIONS ET TOLERANCING PAR NORME ANSI Y14.5M, 1982.

2. DIMENSION DE CONTRÔLE : POUCE.

3. L'ÉPAISSEUR MAXIMUM D'AVANCE INCLUT L'ÉPAISSEUR DE FINITION D'AVANCE. L'ÉPAISSEUR MINIMUM D'AVANCE EST L'ÉPAISSEUR MINIMUM DE LA MATIÈRE PREMIÈRE.

4. 318−03 ET −07 OBSOLÈTES, NOUVEAU 318−08 STANDARD.

ESTIMATIONS MAXIMUM (MERCI = 25°C sauf indication contraire)

Estimation Symbole Valeur Unité
Tension de Drain−to−Source VDSS 50 Volts continu
− de tension de Gate−to−Source continu VGS ± 20 Volts continu
Dissipation de puissance totale @ MERCI = 25°C Palladium 225 mW
Température ambiante d'opération et de température de stockage TJ, Tstg − 55 150 °C
− Junction−to−Ambient de résistance thermique RJA 556 °C/W
La température maximum d'avance pour le soudure, pendant 10 secondes TL 260 °C

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