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Commutation rapide de transistor de transistor MOSFET de puissance du troisième génération HEXFET IRFBC40PBF

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-canal 600 V 6.2A (comité technique) 125W (comité technique) par le trou TO-220AB
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
VDS (v):
600
Le RDS (dessus) (Ω):
VGS = 10 V
Qg (maximum) (OR):
60
Qgs (OR):
8,3
Qgd (OR):
30
Configuration:
Simple
Point culminant:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introduction

Transistor MOSFET de puissance

CARACTÉRISTIQUES

• Estimation dynamique de dV/dt

• Avalanche répétitive évaluée

• Commutation rapide

• Facilité de la parallélisation

• Conditions simples d'entraînement

• Disponible sans d'avance (Pb)

DESCRIPTION

Les transistors MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay fournissent au concepteur la meilleure combinaison de la commutation rapide, de la conception robuste de dispositif, de la basse sur-résistance et de la rentabilité.

Le paquet TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commercial-industrielles aux niveaux de dissipation de puissance approximativement à 50 W. La basse résistance thermique et le bas coût de paquet du TO-220 contribuent à son acceptation large dans toute l'industrie

L'INFORMATION DE COMMANDE
Paquet TO-220
Avance (Pb) sans

IRFBC40PbF

SiHFBC40-E3

SnPb

IRFBC40

SiHFBC40

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