Porte sensible de puissance de transistor MOSFET du transistor BT136-600E de triacs complémentaires de thyristor
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Logique de TRIAC - porte sensible 600 V 4 A par le trou TO-220AB
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal,
Caractéristiques
Description:
Verre passivé, triacs sensibles de porte
Tension hors état maximale répétitive:
600 V
Courant moyen de sur-état:
4 A
Courant maximal non répétitif de sur-état:
25 A
Température de stockage:
-45~150 ℃
Paquet:
TO-220AB
Point culminant:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introduction
Porte sensible de puissance de transistor MOSFET du transistor BT136-600E de triacs complémentaires de thyristor
Caractéristiques de
·Avec le paquet de TO-220AB
·Le verre a passivé, les triacs sensibles de porte sous enveloppe en plastique, destinée à l'utilisation dans des applications bidirectionnelles d'usage universel de commutation et de contrôle de phase, où la sensibilité élevée est exigée dans chacun des quatre quarts de cercle.
DONNÉES DE RÉFÉRENCE RAPIDE
| SYMBOLE | PARAMÈTRE | VALEUR | UNITÉ |
| VDRM | Tension hors état maximale répétitive | 600 | V |
| VRRM | Tension hors état maximale répétitive | 600 | V |
| SERVICE INFORMATIQUE (POIDS DU COMMERCE) | Courant moyen de sur-état | 4 | |
| ITSM | Courant maximal non répétitif de sur-état | 25 | |
| Tstg | Température de stockage | -45~150 |
BROCHAGE SYMBOLE
Porte sensible de la série E des triacs BT136
DONNÉES MÉCANIQUES
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Courant:
MOQ:
4000pcs