Mode 30V d'amélioration de N-canal du transistor à effet de champ AO3400A
power mosfet ic
,silicon power transistors
Mode 30V d'amélioration de N-canal du transistor à effet de champ AO3400A
AO3400A N
- Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de la Manche
| Description générale | Caractéristique |
| L'AO3400A emploie la technologie avancée de fossé pour fournir l'excellent RDS (DESSUS) et la basse charge de porte. Ce dispositif convient pour l'usage comme commutateur de charge ou dans des applications de PWM. Le produit standard AO3400A est sans Pb (rassemblements ROHS et Sony 259 caractéristiques). |
VDS (v) = 30V Identification = 5.7A (VGS = 10V) LE RDS (DESSUS) < 26=""> LE RDS (DESSUS) < 32m=""> LE RDS (DESSUS) < 48m=""> |
Caractéristiques thermiques
| Paramètre | Symbole | Type | Maximum | Unité | |
| A Jonction-à-ambiant maximum | ≤ 10s de t | RθJA |
70 |
90 | °C/W |
| A Jonction-à-ambiant maximum | Équilibré | 100 | 125 | °C/W | |
| Jonction-à-avance maximum C | Équilibré | RθJL | 63 | 80 | °C/W |
: La valeur de RθJA est mesurée avec le dispositif a monté sur 1in le panneau 2 FR-4 avec 2oz. Cuivre, dans un environnement aérien encore avec T A=25°C. La valeur dans n'importe quelle application indiquée dépend de la conception spécifique du conseil de l'utilisateur.
B : Estimation répétitive, durée d'impulsion limitée par la température de jonction TJ (max) =150°C.
C. Le RθJA est la somme de l'impédance thermique de la jonction pour mener le θJL de R et à mener à ambiant.
D. Les caractéristiques statiques sur les schémas 1 6 sont obtenues utilisant <300 us="" pulses="">
E. Ces essais sont réalisés avec le dispositif ont monté sur 1 dans le panneau 2 FR-4 avec 2oz. Cuivre, dans un environnement aérien encore avec T A=25°C. La courbe de SOA fournit une estimation simple d'impulsion.
F : L'estimation actuelle est basée sur l'estimation de résistance thermique du ≤ 10s de t. Rev0 : En avril 2007
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