Envoyer le message
Maison > produits > Puces électroniques d'IC > TRIACS à haute tension du transistor BTA16-600BRG 16A de transistor MOSFET de puissance BTA/BTB 16

TRIACS à haute tension du transistor BTA16-600BRG 16A de transistor MOSFET de puissance BTA/BTB 16

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Norme 600 V 16 A de TRIAC par le trou TO-220
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Courant de sur-état de RMS:
16 A
Courant maximal de sur-état de montée subite non répétitive (plein cycle, Tj = 25°C) initial:
168 A
Tension hors état de crête non répétitive de montée subite:
VDRM/VRRM + 100 V
Courant de collecteur:
150 mA
Taux critique de hausse du courant de sur-état:
50 A/µs
Courant maximal de porte:
4 A
Dissipation de puissance moyenne de porte:
1 W
Point culminant:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduction

TRIACS à haute tension du transistor BTA16-600BRG 16A de transistor MOSFET de puissance BTA/BTB 16

DESCRIPTION

Disponible dans des paquets d'à travers-trou ou de surface-bâti, les séries du triac BTA/BTB16 et T16 convient à la commutation d'usage universel à C.A. Ils peuvent être employés comme fonction "MARCHE/ARRÊT" dans les demandes telles que les relais statiques, règlement de chauffage, moteur à induction mettant en marche des circuits… ou d'opération de contrôle de phase dans des rhéostats légers, contrôleurs de vitesse de moteur,…

Les versions snubberless (série W et T16 de BTA/BTB…) sont particulièrement recommandées pour l'usage sur les charges inductives, grâce à leurs représentations élevées de commutation. À l'aide d'une protection en céramique interne, la série de BTA fournit la tension étiquette isolée (évaluée à 2500V RMS) étant conforme aux normes d'UL (dossier réf. : E81734).

Symbole Valeur Unité
SERVICE INFORMATIQUE (RMS) 16
VDRM/VRRM 600, 700 et 800 V
IGT (Q1) 10 à 50 mA

L'INFORMATION DE COMMANDE

Fig. 1 : Dissipation de puissance maximum contre le courant de sur-état de RMS (plein cycle).

Fig. 2-1 : Sur-état de RMS actuel contre la température de carter (plein cycle).

PRODUITS CONNEXES
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123  de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
100pcs