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N-CANAL 60V - 0.07ohm de STN3NF06L - transistor de transistor MOSFET de puissance⑩ de transistor MOSFET de PUISSANCE de 4A SOT-223 STripFET II

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bâti SOT-223 de la surface 3.3W (comité technique) du N-canal 60 V 4A (comité technique)
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
tension de Drain-source (VGS = 0):
60 V
tension de Drain-porte (RGS = kΩ 20):
60 V
Tension de source de porte:
± 16 V
Vidangez actuel (continu) à comité technique = 25°C:
4 A
Vidangez actuel (continu) à comité technique = 100°C:
2,9 A
Point culminant:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduction

N-CANAL 60V - 0.07Ω - transistor MOSFET de PUISSANCE de 4A SOT-223 STripFET™ II


■Le RDS TYPIQUE (dessus) = 0,07 Ω

■CAPACITÉ EXCEPTIONNELLE de dv/dt

■TECHNOLOGIE ROCAILLEUSE D'AVALANCHE

■L'AVALANCHE 100% A EXAMINÉ

■BASSE COMMANDE DE SEUIL

DESCRIPTION

Ce transistor MOSFET de puissance est le dernier développement du processus basé sur bande unique « de Size™ simple de caractéristique » de STMicroelectronis. Le transistor en résultant montre la densité d'intégration extrêmement élevée pour le bas onresistance, les caractéristiques rocailleuses d'avalanche et les étapes moins critiques d'alignement donc une reproductibilité de fabrication remarquable.

APPLICATIONS

DC-DC ET DC-AC COVERTERS

■CONTRÔLE de MOTEUR de C.C (CONDUCTEURS de DISQUE, etc.)

■RECTIFICATION SYNCHRONE

TYPE VDSS Le RDS (dessus) Identification
STN3NF06L 60 V < 0=""> 4 A

BULLETIN DE LA COTE

MC74HC04ADR2G 40000 SUR 16+ CONCESSION
MT9M021IA3XTC 748 SUR 15+ IBGA
MX25L25635FZ2I-10G 6000 MXIC 14+ WSON8
MC74HC4066DR2 30000 MOT 16+ CONCESSION
MCP23S17-E/SS 5200 PUCE 16+ SSOP
MP9720DS 5861 MP 16+ CONCESSION
PT100S8 100 NIEC 13+ MODULE
LTM10C209A 448 TOSHIBA 15+ Affichage à cristaux liquides
MLP1N06CLG 28000 SUR 16+ TO-220
LT1461BCS8-2.5 9862 LT 15+ SOP-8
MOC3023SR2M 10000 FAIRCHILD 16+ CONCESSION
MJ15025G/MJ15024G 2125 SUR 14+ TO-3
P4SMAJ12A 25000 PANJIT 16+ DO-214AC
NCP3334DADJR2G 12800 SUR 16+ SOP-8
XC4VFX60-11FFG1152C 100 XILINX 15+ BGA
LPC1342FHN33 4122 15+ HVQFN-33
LT1934ES6-1 11534 LINÉAIRE 16+ SOT-23-6
MB91F267APMC-GE1 3714 FUJITSU 14+ QFP
PESD12VS1UB 25000 16+ GAZON
PESD5V0S1UB 25000 16+ GAZON
LM2903VDR2G 10000 SUR 12+ SOP-8
LPC1311FHN33 3642 11+ HVQFN-33
LM2903DR2G 40000 SUR 14+ SOP-8
LM358D2G 25000 SUR 14+ SOP-8
LM2941LD 1000 NSC 13+ QFN
PRODUITS CONNEXES
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

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10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

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30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

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22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

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750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

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Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

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N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

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47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123  de barrière de PMEG6010ER 1A

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Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

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Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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Courant:
MOQ:
5pcs