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ZXMN10A09KTC AMÉLIORATION de N-CANAL de changement de la haute tension 100V de transistor MOSFET de puissance faible de transistor MOSFET de puissance de transistor de transistor MOSFET de puissance

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bâti 2.15W (merci) extérieur du N-canal 100 V 5A (ventres) TO-252-3
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
VDSS:
100 V
Vgs:
±20 V
Identification:
7,7 A
IDM:
27 A
est:
11 A
Point culminant:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduction

TRANSISTOR MOSFET de MODE d'AMÉLIORATION du N-CANAL 100V DANS DPAK


RÉSUMÉ

V (BR) DSS=100V : Le RDS (dessus) =0.085 ; Identification =7.7A

DESCRIPTION

Cette nouvelle génération des transistors MOSFET de fossé de Zetex utilise une structure unique qui combine les avantages de la basse sur-résistance avec la vitesse de changement rapide. Ceci les rend idéaux pour le rendement élevé, applications de gestion de puissance de basse tension.

CARACTÉRISTIQUES

• Basse sur-résistance

• Vitesse de changement rapide

• Basse commande de porte

• Paquet de D-PAK (T0-252)

APPLICATIONS

• Convertisseurs de DC-DC

• Fonctions de gestion de puissance

• Commutateurs de débranchement

• Contrôle de moteur

CARACTÉRISTIQUES TYPIQUES

BULLETIN DE LA COTE

LM614CWM 2876 NSC 14+ SOP-14
MAX708SESA 10000 MAXIME 16+ CONCESSION
MCP1703AT-5002E/MB 5086 PUCE 16+ SOT-89
LRPS-2-1 7310 MINI 16+ CONCESSION
CY62157EV30LL-45ZSXIT 1783 CYPRESS 15+ TSOP32
ZJYS51R5-2PT 5000 TDK 15+ SMD
PIC18F14K50-I/SS 4673 PUCE 16+ SSOP
LT4363IMS-2 5445 LINÉAIRE 15+ MSOP
ATMEGA8A-PU 4090 ATMEL 15+ DIP-28
LM4120IM5-3.3 4851 NSC 15+ SOT-23-5
PEMD12 25000 16+ IVROGNE
MGA-68563-TR1G 6238 AVAGO 16+ SOT-363
NTZD3155CT2G 40000 SUR 16+ SOT-563
MIC841LYC5 10000 MICREL 16+ SC70-5
MAX3110ECWI 9650 MAXIME 16+ CONCESSION
MAX3140CEI 9700 MAXIME 14+ SSOP
LM614IWMX 4277 NSC 14+ SOP-16
MAX3085CPA 10000 MAXIME 16+ IMMERSION
LMZ22005TZ 2135 NSC 14+ TO-PMOD
MAX6012AEUR 3649 MAXIME 15+ IVROGNE
LMZ12001TZ-ADJ 520 NSC 14+ TO-PMOD-7
LT3590ESC8 13470 LINÉAIRE 16+ IVROGNE
LT3693EMSE 5370 LINÉAIRE 14+ MSOP
ATXMEGA16D4-AU 1000 ATMEL 14+ QFP44
LT3574IMS 6667 LT 15+ MSOP
MAX6675ISA+T 5296 MAXIME 15+ CONCESSION
MAX4070AUA 13100 MAXIME 16+ MSOP
LM7321MA 2673 NSC 14+ SOP-8
MAX1724EZK33+ 6750 MAXIME 16+ IVROGNE
MT9040AN 7450 ZARLINK 14+ SSOP
LT3023EMSE 12634 LT 14+ MSOP
LT6654AHS6-2.5 4570 LT 16+ IVROGNE
LT3470ITS8 2942 LINÉAIRE 16+ IVROGNE
OP727ARZ 6300 ANNONCE 15+ CONCESSION
P2808BO 8740 NIKO 14+ CONCESSION
BQ4013YMA-70N 2311 TI 14+ QFN
LTM8023IV 5869 LINÉAIRE 16+ LGA
A2C020162 100 FREESCAL 10+ HSSOP36
XC7K160T-2FFG676I 125 XILINX 15+ BGA
53014-0510 5126 MOLEX 15+ RELIEZ
LTM4618IV 5908 LINÉAIRE 14+ LGA
PRODUITS CONNEXES
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123  de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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MOQ:
5pcs