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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Transistor planaire complémentaire du silicium NPN rf de circuits intégrés de l'électronique de BFQ67W SOT-23

Transistor planaire complémentaire du silicium NPN rf de circuits intégrés de l'électronique de BFQ67W SOT-23

Transistor planaire complémentaire du silicium NPN rf de circuits intégrés de l'électronique de BFQ67W SOT-23
Transistor planaire complémentaire du silicium NPN rf de circuits intégrés de l'électronique de BFQ67W SOT-23
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bâti extérieur SC-70 du transistor NPN 10V 50mA 8GHz 300mW de rf
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Température ambiante:
– 65°C à +150°C
terme de paiement:
T/T, Paypal, Western Union
Tension:
2.5V
Actuel:
50mW
Paquet:
SOT-23
Paquet d'usine:
3000PCS/Reel
Point culminant:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduction

Transistor planaire complémentaire du silicium NPN rf de circuits intégrés de l'électronique de BFQ67W SOT-23

Caractéristiques

• Petite capacité de retour

• Figure à faible bruit

• Haute fréquence de transition

• Composant sans d'avance (Pb)

• Composant dans l'accord à RoHS 2002/95/EC et WEEE 2002/96/EC

Applications

Petits amplificateurs à faible bruit de signal jusqu'à 2 gigahertz. Ce transistor a le chiffre de bruit supérieur et la représentation associée de gain aux fréquences de fréquence ultra-haute, de VHF et micro-ondes.

Type de données mécanique :

Cas BFQ67 : Poids du boîtier en plastique SOT-23 : inscription de mg approximativement 8,0 : Goupiller V2 : 1 = collecteur, 2 = base, 3 = type d'émetteur : Cas de BFQ67R : Poids du boîtier en plastique SOT-23 : inscription de mg approximativement 8,0 : Goupiller R67 : 1 = collecteur, 2 = base, 3 = type d'émetteur : Cas de BFQ67W : Poids du boîtier en plastique SOT-323 : inscription de mg approximativement 6,0 : Goupiller WV2 : 1 = collecteur, 2 = base, 3 = émetteur

Capacités absolues

Tamb = °C 25 sauf indication contraire

Paramètre Sybol Valeur Unité
Tension de collecteur-base VCBO 20 V
Tension de collecteur-émetteur VCEO 10 V
tension d'Émetteur-base VEBO 2,5 V
Courant de collecteur IC 50 mA
Dissipation de puissance totale Ptot 200 mW
La température de jonction Pj 150 °C
Température ambiante de température de stockage Tstg -65 à +150 °C

Une partie du bulletin de la cote

DS18B20+ MAXIME 1603 TO-92
BTA41-800BRG STM 628 TO-247
IRF740 IR 508D TO-220
FT231XS-R FTDI 1605 SSOP-20
K9F1G08UOD-SCBO SAMSUNG 549 TSOP-48
B39440-X6764-N201 EPSON 2874 SIP-5
LM3578AM NSC CSRC SOP-8
MAX489CPD MAXIME 1618 DIP-14
AT89C2051-24PU ATMEL 1506 DIP-20
FR2J PANJIT 1628 SMB
UF5408 VISHAY 1632 DO-201
SMAJ250A LITTLEFUSE 16H128 SMA
DS1603 Dallas 9944A1/102795 DIP-7
93LC86C-I/SN PUCE 1243 SOP-8
SMF3.3.TCT SEMTECH 1622/F03 SC70-5
DS1338Z-33+TR MAXIME 1630A3 SOP-8
GQM1885C1H150GB01D MURATA IA6903WR4 SMD0603
C0402C222K5RACTU KEMET 1603 SMD0402
GCM155R71H223KA55D MURATA IA6903WR4 SMD0402
C1608X5R1A475K080AC TDK IB16C15763SD SMD0603
C0402C473K9RACTU KEMET 1622 SMD0402
C0402C472K5RACTU KEMET 1603 SMD0402
CC0805KKX7R6BB106 YAGEO 1618 SMD0805
GRM31CR61E226KE15L MURATA IA6903WR4 SMD1206
CC0402KRX7R7BB103 YAGEO 1618 SMD0402
CC0603JRNP09BN120 YAGEO 1618 SMD0603
CC0603KRX5R8BB105 YAGEO 1618 SMD0603
RC0603FR-0715KL YAGEO 1636 SMD0603
RC0603FR-07232RL YAGEO 1619 SMD0603
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