L'électronique d'IC de puce de circuit intégré de transistor de transistor MOSFET de puissance d'IRLR2905TRPBF TO-252
multi emitter transistor
,silicon power transistors
L'électronique d'IC de puce de circuit intégré de transistor de transistor MOSFET de puissance d'IRLR2905TRPBF TO-252
IRLR2905TRPBF
±15kV ESD s'est protégé, +3V à +5.5V, 1Microamp, 250kbps, les émetteurs RS-232/récepteurs
Commande niveau de la logique de porte ?
Sur-résistance très réduite ?
Bâti extérieur (IRLR2905) ?
Avance droite (IRLU2905) ?
Technologie transformatrice avancée
Commutation rapide ? Entièrement avalanche évaluée
Sans plomb
Description
La cinquième génération HEXFETs du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser la plus basse possible sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace pour l'usage dans une grande variété d'applications. Le D-PAK est conçu pour le support extérieur utilisant la phase vapeur, l'infrarouge, ou les techniques de soudure de vague. La version droite d'avance (série d'IRFU) est pour l'à travers-trou montant des applications. Les niveaux de dissipation de puissance jusqu'à 1,5 watts sont possibles dans des applications extérieures typiques de bâti.
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? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? Maxim Rating absolu
Courant continu du drain comité technique = 25°C, identification 10V 42 de VGS @ @ comité technique = 100°C
Courant continu de drain, VGS @ 10V 30 A
IDM pulsés vidangent le palladium 160 actuel @TC = 25°C
La sous-sollicitation linéaire de la dissipation de puissance 110 W factorisent 0,71 W/°C
± 16 V de tension de Porte-à-source de VGS
Énergie simple d'avalanche d'impulsion d'EAS ? 210 MJ
Courant 25 d'avalanche d'IAR une OREILLE répétitive
Récupération dv/dt de diode de crête de l'énergie 11 MJ dv/dt d'avalanche ? 5,0 V/ns
Jonction fonctionnante et -55 de TJ + à 175
Température ambiante de température de stockage de TSTG
La température de soudure, pour 10 le °C des secondes 300 (1.6mm du cas)
Une partie du bulletin de la cote
| INDUTOR 2.2UH NLFC322522T-2R2M-PF | TDK | Y6438385HU | SMD3225 |
| INDUTOR 10UH NLFC322522T-100K-PF | TDK | Y643780LHU | SMD3225 |
| C.I LTC3406ES5-1.8TRPBF | LINÉAIRE | LTC4 | SOT23-5 |
| C.I LTC3406ES5-1.5TRPBF | LINÉAIRE | LTD6 | SOT23-5 |
| C.I SN74HC273DWR | TI | 87D71RK/85FKF2K | SOP-20 |
| Recherche 0R 5% RC0805JR-070RL |
YAGEO | 1645 | SMD0805 |
| Recherche 49R9 1% RC0805FR-0749R9L |
YAGEO | 1639 | SMD0805 |
| Recherche 6K8 1% RC0805FR-076K8L |
YAGEO | 1633 | SMD0805 |
| Recherche 0R 5% RC0603JR-070RL |
YAGEO | 1645 | SMD0603 |
| PAC 0805 10UF 16V X5R CL21A106KOQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| DIODO B330A-13-F | DIODES | 1522/B330A | SMA |
| C.I MM74C922N | FAC | BH56AB | DIP-18 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| C.I CD4052BM96 | TI | 69P1HQA | SOP-16 |
| Recherche 1210 220R 5% RC1210JR-07220RL | YAGEO | 1633 | SMD1210 |
| Recherche 1210 330R 5% RC1210JR-07330RL | YAGEO | 1641 | SMD1210 |
| PAC 0805 100NF 16V X7R 0805YC104KAT2A | AVX | 1622 | SMD0805 |
| Recherche 0805 1K5 1% RC0805FR-071K5L |
YAGEO | 1641 | SMD0805 |
| Recherche 0805 3K3 1% RC0805FR-073K3L |
YAGEO | 1641 | SMD0805 |
| C.I SN74LS373N | TI | 1606+5 | DIP-20 |
| OPTOACOPLADOR 4N25M | FSC | 629Q | DIP-6 |
| Recherche 0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L |
YAGEO | 1642 | SMD0805 |
| Recherche 0805 4K99 1% RC0805FR-074K99L |
YAGEO | 1643 | SMD0805 |
| Recherche 0805 75R 1% RC0805FR-0775RL |
YAGEO | 1643 | SMD0805 |
| NPO 08055A221JAT2A de la PAC 0805 220PF 50V | AVX | 1633 | SMD0805 |
| C.I SSD1961G40 | SOLOMON | L045AF | BGA40 |
| C.I LM336D-2.5 | TI | 336-25/68MA6EG. | SOP-8 |
| C.I TPS61041DBVR | TI | PHPI | SOT23-5 |
| DIODO 1N4756A | SEMTECH | SL0C2P0817Z185G | DO-41 |
| CONVERTISSEUR DE C.I MCP3201-CI/P |
PUCE | 1621SOD | DIP-8 |
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC