60V N - transistor MOSFET de changement FDS9945 de puissance de transistor MOSFET de fossé de puissance de la Manche
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bâti extérieur 8-SOIC de la rangée 60V 3.5A 1W de transistor MOSFET
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension de Drain-source:
60 V
Tension de Porte-source:
±20 V
Drain Curren:
3,5 A
Dissipation de puissance pour l'opération simple:
2 W
Température ambiante de jonction d'opération et de stockage:
°C -55 à +175
Point culminant:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introduction
BULLETIN DE LA COTE
| MSP3420GB8V3 | 6596 | MSP | 15+ | IMMERSION |
| LTV8141 | 10000 | LITEON | 16+ | IMMERSION |
| MAX6301CSA | 4076 | MAXIME | 16+ | CONCESSION |
| LM2841XBMKX | 10188 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
| LMC7111BIM5 | 10000 | NSC | 14+ | SOT-23-5 |
| LM3876T | 543 | NSC | 13+ | ZIP-11 |
| LMC6062AIM | 4239 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| LMV431BIMF | 10000 | NSC | 15+ | SOT-23 |
| MAX8682ETM | 5146 | MAXIME | 16+ | QFN |
| LMC6572BIM | 4338 | NSC | 14+ | SOP-14 |
| LMC6482IMX | 2999 | NSC | 15+ | SOP-8 |
| LM7301IM5 | 4926 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
| PAL007A | 3260 | Transistor MOSFET | 14+ | FERMETURE ÉCLAIR |
| MS5540-CM | 6519 | MEASUYEME | 16+ | SMD |
| 88AP270MA2-BHE1C520 | 320 | MARVELL | 15+ | BGA |
| MT9171AN | 7471 | ZARLINK | 16+ | SSOP |
| MRF184 | 6393 | MOT | 14+ | SMD |
| MURS140 | 25000 | SUR | 16+ | DO-214 |
| BGY68 | 3500 | 14+ | MOKUAI | |
| PESD5V2S2UT | 25000 | 16+ | IVROGNE | |
| LM26CIM5-TPA | 5000 | NSC | 14+ | SOT-23-5 |
| CM1200HB-66H | 213 | MITSUBI | 14+ | MODULE |
| LPC11C24FBD48 | 4833 | 15+ | LQFP-48 | |
| CM30TF-24H | 313 | MITSUBI | 15+ | MODULE |
| 7MBR50SB120 | 230 | FUJI | 12+ | MODULE |
| MAX209EWG | 7850 | MAXIME | 14+ | CONCESSION |
| LXT970AQC | 4907 | LEVELONE | 10+ | QFP |
| MSP430FG4619IPZ | 6834 | TI | 16+ | LQFP |
| NCP1052ST136T3G | 9280 | SUR | 16+ | SOT-223 |
| MAX17121ETG | 6550 | MAXIME | 16+ | QFN |
| MAC97A6 | 25000 | SUR | 16+ | TO-92 |
| MPC89E58AF | 5910 | MEGAWIN | 16+ | PQFP |
| CS4398-CZZR | 2234 | CIRRUS | 15+ | TSSOP |
| LC4064V-75TN100-10I | 3070 | TRELLIS | 15+ | QFP |
| ME0550-02DA | 595 | IXYS | 14+ | IGBT |
| MDD26-14N1B | 5902 | IXYS | 16+ | IGBT |
| MT9V024IA7XTM | 2499 | SUR | 15+ | BGA |
| MCC21-1408B | 4756 | IXYS | 14+ | IGBT |
| CM100DU-24NFH | 378 | MITSUBI | 15+ | MODULE |
| 6RI100E-080 | 958 | FUJI | 15+ | MODULE |
| PM150RSD060 | 250 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
| PK160F-160 | 120 | SANREX | 11+ | MODULE |
| LC540 | 3081 | TI | 15+ | TSSOP |
| OP20FZ | 596 | ANNONCE | 16+ | CDIP |
| PCA9554PWR | 12420 | TI | 16+ | TSSOP |
| M1494NC180 | 479 | WESTCODE | 14+ | MODULE |
| LM4890MM | 30000 | NSC | 15+ | MSOP-8 |
| MHW6342T | 6304 | MOT | 15+ | CATV |
| CM450HA-5F | 233 | MITSUBI | 14+ | MODULE |
| PM200RSD060 | 230 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
| PM200RSA060 | 120 | MITSUBISH | 13+ | MOUDLE |
| MSM5219BGS-K-7 | 550 | OKI | 14+ | QFP |
| PS11003-C | 500 | MITSUBISH | 12+ | MODULE |
| MB87020PF-G-BND | 3531 | FUJITSU | 14+ | QFP |
| MA2820 | 7689 | SHINDENG | 16+ | FERMETURE ÉCLAIR |
| 7MBP150RTB060 | 210 | FUJI | 12+ | MODULE |
| MBM200HS6B | 629 | HITACHI | 14+ | MODULE |
| PM25RSK120 | 320 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
| QM150DY-H | 150 | MITSUBISH | 13+ | MODULE |
| PWB130A40 | 120 | SANREX | 14+ | MODULE |
| LA1185 | 3928 | SANYO | 14+ | SIP9 |
FDS9945
transistor MOSFET de changement de puissance de transistor MOSFET de PowerTrench du N-canal 60V
Caractéristiques
· 3,5 A, 60 V. le RDS (DESSUS) = 0.100W @ VGS = 10 V le RDS (DESSUS) = 0.200W @ VGS = 4.5V
· Optimisé pour l'usage en commutant des convertisseurs de DC/DC avec des contrôleurs de PWM
· Commutation rapide même
· Basse charge de porte.
Description générale
Ces le transistor MOSFET de niveau de logique de la Manche de N ont été conçus spécifiquement pour améliorer la performance globale des convertisseurs de DC/DC utilisant les contrôleurs synchrones ou conventionnels de la commutation PWM.
La commutation plus rapide de caractéristique de transistor MOSFET et la charge inférieure de porte que l'autre transistor MOSFET avec des caractéristiques comparables du RDS (dessus)
Le résultat est un transistor MOSFET il est facile et plus sûr conduire que
(même aux hautes fréquences mêmes), et conceptions d'alimentation d'énergie de DC/DC avec une performance globale plus élevée.
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MOQ:
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