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Transistor d'usage universel du transistor PNP de transistor MOSFET de la puissance BC807-25

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bipolaire (BJT) Transistor PNP 45 V 500 mA 100 MHz 300 mW Montage en surface SOT-23
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension de collecteur-base:
−50 V
Tension de collecteur-émetteur:
−45 V
tension d'Émetteur-base:
−5 V
Courant de collecteur (C.C):
−500 mA
courant bas maximal:
−200 mA
Dissipation de puissance totale:
250mW
Point culminant:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introduction

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
5M0380R 2882 FSC 14+ TO-220
AT24C04 2882 ATMEL 14+ SOP8
HT1381 2882 HOLTEK 14+ SOP8
L293E 2887 St 16+ IMMERSION
BZX84B5V1 2888 SUR 16+ SOT-23
TLP523-4 2888 TOSHIBA 13+ DIP-16
TPS63020DSJR 2888 TI 15+ QFN
KBP210 2896 SEPT 16+ IMMERSION
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IRS2092S 2978 IR 14+ SOP16
SMBJ36A 2980 VISHAY 14+ DO-214AA
A6259 2988 SANKEN 16+ IMMERSION
IRF7309TRPBF 2990 IR 16+ SOP8
PIC16F877-20I/L 2990 PUCE 13+ PLCC44
IRFBE30P 2997 IR 15+ TO-220
MUR1640CT 2998 SUR 16+ TO-220
1.5KE15A 3000 VISHAY 16+ DO-201AD
1.5KE6.8CA 3000 VISHAY 14+ DO-201AD
1N5359B 3000 SUR 14+ DO-27
1N5819HW-7-F 3000 DIODES 14+ SOD-123
2N7002W-7-F 3000 DIODES 16+ SOT-323
74HC1G04GW 3000 16+ SOT-353
BD136 3000 St 13+ TO-126
BF620 3000 15+ SOT-89
BZD27C13 3000 VISHAY 16+ SOD123
BZX84-C12 3000 16+ SOT23
CAT810LTBI 3000 SUR 14+ SOT23-3
DF01S 3000 VISHAY 14+ SOP4
DTC124EU 3000 ROHM 14+ SOT323


Transistor d'usage universel de BC807 PNP

CARACTÉRISTIQUES
• À forte intensité (maximum 500 mA)
• Basse tension (maximum 45 V).

APPLICATIONS
• Commutation et amplification d'usage universel.

Fig.1 a simplifié le contour (SOT23) et le symbole.
DESCRIPTION
Transistor de PNP dans un paquet SOT23 en plastique.
NPN complète : BC817.

GOUPILLER

PIN DESCRIPTION
1 base
2 émetteur
3 collecteur


VALEURS LIMITES
Selon le système de notation maximum absolu (le CEI 134).

SYMBOLE PARAMÈTRE CONDITIONS Mn. MAXIMUM. UNITÉ
VCBO tension de collecteur-base émetteur ouvert −50 V
VCEO tension de collecteur-émetteur base ouverte ; IC = −10 mA −45 V
VEBO tension d'émetteur-base collecteur ouvert −5 V
IC courant de collecteur (C.C) −500 mA
Missile aux performances améliorées courant de collecteur maximal −1
IBM courant bas maximal −200 mA
Ptot dissipation de puissance totale °C du ≤ 25 de Tamb ; note 1 250 mW
Tstg température de stockage −65 +150 °C
Tj la température de jonction 150 °C
Tamb température ambiante fonctionnante −65 +150 °C

Le transistor de la note 1. a monté sur un panneau du circuit imprimé FR4.

CONTOUR DE PAQUET

Paquet monté extérieur en plastique ; 3 avances SOT23



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