Triacs sensibles d'Alternistor de transistor de transistor MOSFET de puissance de porte de triacs du transistor MOSFET IC de la puissance Q6012LH5
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Triacs d'Alternistor (6 A à 40 A)
Description générale
Teccor offre des alternistors bidirectionnels avec des estimations actuelles de 6 A à 40 A et tensions de 200 V à 1000 V en tant qu'élément de la grande ligne de Teccor des thyristors. L'alternistor de Teccor est spécifiquement conçu pour les applications qui commutent les charges fortement inductives. Une puce spéciale offre la même représentation en tant que parallèle inverse de câble de deux thyristors (thyristors) (dos à dos), fournissant un meilleur comportement d'arrêt qu'un triac standard. Un alternistor peut être déclenché d'un blocage à l'état de conduction pour l'un ou l'autre de polarité de tension CA appliquée avec des modes opérationnels dans les quarts de cercle I, II, et III.
Cette nouvelle construction de puce fournit deux électriquement structures distinctes de thyristor, fournissant des caractéristiques augmentées de dv/dt tout en maintenant les avantages d'un dispositif d'un seul morceau.
Tous les alternistors verre-ont passivé des jonctions pour assurer la stabilité à long terme de fiabilité et de paramètre. Les jonctions verre-passivées de Teccor offrent une barrière fiable contre la contamination de jonction.
Le paquet du TO-218X de Teccor est conçu pour la capacité powerhandling lourde et régulière. Il comporte de grands terminaux d'oeillet pour la facilité de souder le fil lourd de liaison de mesure. Tous les paquets d'isolement ont une estimation standard de tension d'isolement de 2500 V RMS.
Les variations des dispositifs couverts en cette fiche technique sont disponibles pour conçoivent des applications en fonction du client. Consultez l'usine pour de plus amples informations.
Caractéristiques
• Capacité élevée de courant de montée subite
• jonctions Verre-passivées
• Isolement à C.A. de 2500 V pour des paquets de L, de J, et de K
• Haut dv/dt de commutation
• Haut dv/dt statique
Conditions d'essai
di/dt — Taux-de-changement maximum du courant de sur-état
dv/dt — Taux-de-hausse critique de tension hors état à la porte évaluée de VDRM ouverte
dv/dt (c) — Taux-de-hausse critique de tension de commutation à VDRM évalué et à service informatique (RMS) commutant di/dt = 0,54 services informatiques évalués (RMS) /ms ; porte unenergized
I 2 t — Sur-état (non répétitif) de montée subite de RMS actuel pour la période de Mme 8,3 pour la fusion
IDRM — Porte actuelle hors état maximale ouverte ; VDRM = valeur évaluée maximum
IGT — Déclencheur de porte de C.C actuel dans les quarts de cercle fonctionnants spécifiques ; VD de = C.C 12 V
IGTM — Courant maximal de déclencheur de porte
IH — Courant de participation (C.C) ; porte ouverte
SERVICE INFORMATIQUE (RMS) — Angle actuel de conduction de sur-état de RMS de 360°
ITSM — Montée subite maximale d'un-cycle
PAGE (POIDS DU COMMERCE) — Dissipation de puissance moyenne de porte
PGM — Dissipation de puissance maximale de porte ; ≦ IGTM D'IGT
tgt — Temps d'ouverture commandé de porte ; IGT = 300 mA avec 0,1 temps de montée de µs
VDRM — Tension de blocage répétitive de crête
VGT — Tension de déclencheur de porte de C.C ; VD de = C.C 12 V
VTM — Tension maximale de sur-état au courant évalué maximum de RMS
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC