SI7336ADP-T1-E3 transistor MOSFET à haute tension de puissance de transistor MOSFET de puissance faible de transistor MOSFET du N-canal 30-V (D-S)
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-Channel 30 V 30A (Ta) 5.4W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Vds:
30V
Vgs:
± 20 V
Identification:
30 A
IDM:
70 A
est:
4,5 A
Point culminant:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introduction
Transistor MOSFET du N-canal 30-V (D-S)
CARACTÉRISTIQUES
• disponible sans halogène
• Sur-résistance très réduite utilisant la GEN à haute densité II de TrenchFET® Technologie de transistor MOSFET de puissance
•Qg a optimisé
• Nouveau bas paquet de PowerPAK® de résistance thermique avec le bas profil de 1,07 millimètres
• 100 % Rg examiné
• 100 % UIS examiné
APPLICATIONS
• Conversion du côté bas de DC/DC
- Carnet
- Serveur
- Poste de travail
VENTRES de CAPACITÉS ABSOLUES = °C 25, sauf indication contraire
| Paramètre | Symbole | Limites | Unité |
| Tension de Drain-source | VDS |
30 |
V |
| Tension de Porte-source | VGS | ± 20 | |
|
Courant continu de drain (TJ = °C 150) a VENTRES = °C 25 VENTRES = °C 70 |
Identification |
30 25 |
|
| Courant pulsé de drain (durée d'impulsion de 10 µs) | IDM | 70 | |
| Courant de source continu (conduction de diode) a | EST | 4,5 | |
| Courant d'avalanche L = 0,1 MH | IAS | 50 | |
|
Puissance maximum Dissipationa VENTRES = °C 25 VENTRES = °C 70 |
Palladium |
5,4 3,4 |
W |
| Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | TJ, Tstg | - 55 à 150 | °C |
| Recommandations de soudure (la température maximale) b, c | 260 |
BULLETIN DE LA COTE
| LA1823 | 3994 | SANYO | 16+ | DIP-24 |
| PCA82C250T | 11860 | 16+ | CONCESSION | |
| P1553ABL | 8700 | LITTELFUS | 16+ | TO-220 |
| PIC32MX795F512L-80I/PF | 1500 | PUCE | 15+ | TQFP-100 |
| MC7805CDTRK | 10000 | SUR | 16+ | IVROGNE |
| LM4755T | 975 | NSC | 14+ | TO-263 |
| M93C06-MN6T | 10000 | St | 16+ | CONCESSION |
| NAND128W3A2BN6E | 5680 | St | 16+ | TSOP |
| PMEG3005EH | 25000 | 15+ | SOD-123 | |
| LA4270 | 2641 | SANYO | 15+ | ZIP-10 |
| BTB24-600BWR | 3389 | St | 14+ | TO-220 |
| PKG4428PI | 80 | ERICSSON | 02+ | SMD |
| LTC4252-2IMS | 6402 | LINÉAIRE | 15+ | MSOP-10 |
| LA4445 | 6010 | SANYO | 15+ | SIP-12 |
| PN100 | 5000 | FSC | 16+ | TO-92 |
| MAT01GH | 2200 | ANNONCE | 15+ | BOÎTE |
| MIW3023 | 404 | MINMAX | 16+ | IMMERSION |
| ATXMEGA64A3-AU | 500 | ATMEL | 10+ | QFP64 |
| ATXMEGA64A1-AU | 1000 | ATMEL | 12+ | TQFP100 |
| LM2841XMKX-ADJ | 3000 | TI | 14+ | TSOT-23-6 |
| LTC2250CUH | 1655 | LINÉAIRE | 14+ | QFN |
| P1014AP06 | 8580 | SUR | 16+ | IMMERSION |
| ZTX550STOA | 3000 | ZETEX | 12+ | TO-92 |
| MIC29301-5.0BU | 6424 | MICREL | 16+ | TO-263 |
| ML4800CP | 11000 | FAIRCHILD | 16+ | IMMERSION |
| LTC1257CS8 | 15098 | LINÉAIRE | 16+ | CONCESSION |
| NBB-500 | 6480 | RFMD | 15+ | SMT |
| M51207L | 3438 | MIT | 15+ | PETITE GORGÉE |
| M54525P | 3269 | MIT | 16+ | IMMERSION |
| MCP3208-CI/SL | 5296 | PUCE | 16+ | CONCESSION |
| PTH08T240WAD | 500 | TI | 14+ | IMMERSION |
| MAX9602EUG | 2603 | MAXIME | 14+ | TSSOP |
| OP184ES | 5920 | ANNONCE | 16+ | CONCESSION |
| LMP8640MKE-F/NOPB | 3853 | TI | 15+ | SOT-6 |
| LT6350IMS8 | 4990 | LINÉAIRE | 15+ | MSOP |
| LTC3612EFE | 6649 | LINÉAIRE | 16+ | TSSOP |
| PM7226HP | 800 | L'ADI | 08+ | DIP-20 |
| LM833MM | 3896 | NSC | 14+ | MSOP-8 |
| PGH1008AM | 1370 | NIEC | 14+ | MODULE |
| NCP1337DR2G | 10960 | SUR | 16+ | SOP-7 |
| NCP1203D60R2G | 10720 | SUR | 16+ | CONCESSION |
| ZXMP3A17E6TA | 6000 | ZETEX | 15+ | SOT23-6 |
| MAX3083ESD | 9400 | MAXIME | 16+ | CONCESSION |
| NFE61PT102E1H9L | 10000 | MURATA | 16+ | SMD |
| ZXMN3A03E6TA | 9000 | ZETEX | 15+ | SOT23-6 |
| LM2937ES-5.0 | 6354 | NSC | 14+ | TO-263 |
| OB3316QPA | 5680 | ON-BRIGHT | 16+ | CONCESSION |
| 151007 | 310 | HITACHI | 10+ | SOP-20 |
PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
5pcs