Transistors complémentaires de MOS de mode de l'amélioration PHC21025 commutant le transistor MOSFET de puissance
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Mosfet Array
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Vds:
30V
VSD:
1,2 V
VGSO:
±20 V
VGSth:
2,8 V
Identification:
3,5 A
Point culminant:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introduction
Transistors complémentaires de MOS de mode d'amélioration
CARACTÉRISTIQUES
• Commutation ultra-rapide
• Aucune panne secondaire
• Sur-résistance très basse.
APPLICATIONS
• Conducteur de moteur et de déclencheur
• Gestion de puissance
• Rectification synchronisée.
DESCRIPTION
Un N-canal et un transistor de MOS de mode d'amélioration de P-canal dans 8 un paquet en plastique de goupille SOT96-1 (SO8).
BULLETIN DE LA COTE
| OPA335AIDBVT | 7380 | TI | 16+ | SOT23-5 |
| ATTINY261A-MU | 870 | ATMEL | 14+ | QFN-32 |
| LTC4011CFE#PBF | 6545 | LINÉAIRE | 14+ | TSSOP |
| MAX8997EWW | 9871 | MAXIME | 15+ | BGA |
| MAX6675ISA | 5174 | MAXIME | 14+ | CONCESSION |
| P80C552EBA | 9800 | PHILIPS | 15+ | PLCC |
| MCO500-16IO1 | 882 | IXYS | 15+ | MODULE |
| BTA16-800BW | 10000 | St | 15+ | TO-220 |
| NTD4909NT4G | 4560 | SUR | 16+ | TO-252 |
| P6SMB6.8A | 25000 | SUR | 16+ | DO-214 |
| PESD3V3S2UT | 30000 | 16+ | IVROGNE | |
| NCP1200P40 | 10560 | SUR | 16+ | IMMERSION |
| MC7805CD2TR4G | 4452 | SUR | 16+ | TO-264 |
| MC7818CD2TR4G | 4246 | SUR | 16+ | TO-263 |
| ZTX757 | 4500 | ZETEX | 11+ | TO-92 |
| L78L15ACD13TR | 10000 | St | 15+ | SOP8 |
| PM30RHC060 | 120 | MITSUBISH | 11+ | MOUDLE |
| M24C02-WBN6 | 4647 | St | 16+ | IMMERSION |
| ZXMP6A13FTA | 9200 | DIODES | 15+ | SOT23 |
| MC14516BCP | 5798 | SUR | 16+ | IMMERSION |
| MC14106BCP | 6680 | SUR | 16+ | IMMERSION |
| QM200HA-2H | 230 | MITSUBISH | 13+ | MODULE |
| MJ11016 | 2089 | SUR | 16+ | TO-3 |
| MC33388DR2 | 9416 | FREESCALE | 16+ | CONCESSION |
| LM321M5X | 6229 | NSC | 14+ | SOT23-5 |
| MBRS190T3G | 40000 | SUR | 16+ | SMB |
| L6599D | 3510 | St | 15+ | SOP-16 |
| LA7847 | 3356 | SANYO | 15+ | FERMETURE ÉCLAIR |
| LA4224 | 3708 | SANYO | 14+ | DIP8 |
| BT136-500 | 10000 | 14+ | TO220 | |
| 36MB100A | 1629 | IR | 15+ | MODULE |
| LM2674MX-5.0 | 1865 | NSC | 10+ | SOP-8 |
| LTC1690CS8 | 6022 | LINÉAIRE | 14+ | CONCESSION |
| PMBT3904 | 780000 | 15+ | SOT-23 | |
| PM10CNA060 | 200 | MITSUBISH | 09+ | MOUDLE |
| B1240 | 3455 | SUR | 15+ | DIP18 |
| LM3403N | 2969 | NSC | 10+ | DIP-14 |
| LM4050CIM3X-2.5 | 6586 | NSC | 13+ | SOT-23-3 |
| PIC16LF877A-I/PT | 4698 | PUCE | 16+ | QFP |
| MAX4252EUA | 13500 | MAXIME | 15+ | MSOP |
| MC33033DW | 11000 | SUR | 16+ | CONCESSION |
| L05172 | 1596 | St | 15+ | HSSOP36 |
| BT136S-600E | 3829 | 15+ | TO220 | |
| MCP6S21-I/MS | 5560 | PUCE | 16+ | MSOP |
| MTD1375F | 7513 | SHINDENGE | 15+ | HSOP |
| MAX3232ECAE | 11250 | MAXIME | 16+ | SSOP |
| MD1803DFX | 5836 | St | 16+ | TO-3P |
| LM5118MH | 1743 | NSC | 11+ | TSSOP-20 |
| LTC3108IGN | 6857 | LT | 16+ | SSOP |
| ATTINY26L-8MU | 552 | ATMEL | 14+ | QFN-32 |
| ZRA245A02 | 1200 | ZETEX | 10+ | TO-92 |
| LP3855ESX-3.3 | 2263 | NSC | 14+ | TO-263 |
| PIC18F25J10-I/SO | 4558 | PUCE | 15+ | CONCESSION |
PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
5pcs