Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complémentaire
power mosfet ic
,silicon power transistors
Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complémentaire
MJD112 (NPN)
MJD117 (PNP)
DarliCM GROUPon Power Transistors complémentaire
DPAK pour les applications extérieures de bâti
TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM
2 AMPÈRES
100 VOLTS
20 WATTS
Conçu pour la puissance d'usage universel et commuter tel que des étapes de sortie ou de conducteur dans les applications telles que des régulateurs de commutation, des convertisseurs, et des amplificateurs de puissance.
Caractéristiques
• Les paquets de Pb−Free sont disponibles
• Avance formée pour les applications extérieures de bâti dans des gaines plastiques (aucun suffixe)
• Version droite d'avance dans suffixe des gaines plastiques ("−1 »)
• Version formée par avance dans la bande de 16 millimètres et la bobine (« T4 » et suffixe de « RL »)
• Électriquement semblable à la série TIP31 et TIP32 populaire
ESTIMATIONS MAXIMUM
| Estimation | Symbole | Maximum | Unité |
| Tension de Collector−Emitter | VCEO | 100 | Volts continu |
| Tension de Collector−Base | VCB | 100 | Volts continu |
| Tension d'Emitter−Base | VEB | 5 | Volts continu |
|
− de courant de collecteur continu Crête |
IC |
2 4 |
CDA |
| Courant bas | IB | 50 | mAdc |
|
Dissipation de puissance totale @ comité technique = 25°C Sous-sollicitez au-dessus de 25°C |
Palladium |
20 0,16 |
W W/°C |
|
Puissance totale Dissipation* @ MERCI = 25°C Sous-sollicitez au-dessus de 25°C |
Palladium |
1,75 0,014 |
W W/°C |
| Température ambiante de jonction d'opération et de stockage | TJ, Tstg | −65 à +150 | °C |
Les estimations maximum sont ces valeurs au delà de quels dommages de dispositif peuvent se produire. Les estimations maximum ont appliqué au dispositif sont différentes valeurs limites d'effort (fonctionnement non normal) et sont invalides simultanément. Si ces limites sont dépassées, l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée, les dommages peuvent se produire et la fiabilité peut être affectée.
DIAGRAMMES DE REPÉRAGE
DIMENSIONS DE PAQUET
DPAK
CAS 369C
QUESTION O
DPAK−3
CAS 369D−01
QUESTION B
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC