SI4436DY-T1-E3 transistor MOSFET de changement de puissance faible de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET du N-canal 60-V (D-S)
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-canal 60 V 8A (comité technique) 2.5W (merci), bâti 8-SOIC de la surface 5W (comité technique)
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension de Drain-source:
60 V
Tension de Porte-source:
± 20 V
Courant pulsé de drain:
25 A
Dissipation de puissance maximum:
5 W
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage:
- °C 55 à 150
Point culminant:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introduction
Transistor MOSFET du N-canal 60-V (D-S)
CARACTÉRISTIQUES
• sans halogène selon la définition du CEI 61249-2-21
• Transistor MOSFET de puissance de TrenchFET®
• Optimisé pour l'opération synchrone de redresseur de « bas côté »
• 100 % Rg et UIS a examiné
APPLICATIONS
• Inverseur de CCFL
RÉSUMÉ DE PRODUIT
| VDS (v) | Le RDS (dessus) (Ω) | Identification (A) d | Qg (type.) |
| 60 |
0,036 à VGS = 10 V |
8 | OR 10,5 |
|
0,043 à VGS = 4,5 V |
BULLETIN DE LA COTE
| BYV27-200 | 9000 | VISHAY | 16+ | SOD-57 |
| GL852-MN6 | 3460 | GENESYS | 16+ | QFP |
| IRLML5103TRPBF | 9000 | IR | 12+ | SOT-23 |
| CH340T | 5275 | WCH | 15+ | SSOP-20 |
| DSP1A-24V | 3990 | Panasonic | 16+ | DIP-4 |
| AK4352VT-E2 | 2000 | AKM | 15+ | TSSOP16 |
| BLM18HB221SN1D | 8000 | MURATA | 15+ | SMD |
| FDS6680S | 2200 | FSC | 16+ | SOP-8 |
| HT46R47 | 2460 | HOLTEK | 15+ | DIP-18 |
| HT46R23 | 2460 | HOLTEK | 15+ | DIP-28 |
| IRF5800TR | 1500 | IR | 13+ | CONCESSION |
| FQP30N06 | 3460 | FAIRCHILD | 14+ | TO-220 |
| CAT660EVA-GT3 | 1380 | SUR | 15+ | SOP-8 |
| AX5201ESA | 2170 | AXELITE | 15+ | SOP-8 |
| IPS7091GTRPBF | 1780 | IR | 14+ | SOP-8 |
| ADM2587EBRWZ | 2000 | ANNONCE | 15+ | SOP-20 |
| AX3131ESA | 2170 | AXELITE | 16+ | SOP-8 |
| DCP020507U | 1150 | BB | 16+ | SOP-12 |
| AT89C2051-24SU | 2300 | ATMEL | 13+ | SOP-20 |
PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
20pcs