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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > MAILLE rapide même IGBT de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance STGB7NC60HDT4

MAILLE rapide même IGBT de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance STGB7NC60HDT4

MAILLE rapide même IGBT de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance STGB7NC60HDT4
MAILLE rapide même IGBT de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance STGB7NC60HDT4
MAILLE rapide même IGBT de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance STGB7NC60HDT4
MAILLE rapide même IGBT de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance STGB7NC60HDT4
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
IGBT 600 V 25 A 80 W Montage en surface D2PAK
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension de collecteur-émetteur:
600 V
Tension d'Émetteur-collecteur:
20 V
tension de Porte-émetteur:
±20 V
Courant de collecteur (pulsé):
50 A
Courant en avant de la diode RMS à comité technique = 25°C:
20 A
Température de stockage:
– °C 55 à 150
La température de jonction fonctionnante:
– °C 55 à 150
Dissipation totale à comité technique = 25°C:
80 W
Point culminant:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introduction

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
DS1245Y-100 1002 DALLAS 15+ TO-92
DS1990A-F5 1002 MAXIME 16+ BOÎTE
ICL7135CPIZ 1002 INTERSIL 16+ IMMERSION
IRFP150NPBF 5000 IR 14+ TO-247
IRFP260NPBF 5000 IR 14+ TO-247
K847P 1002 VISHAY 14+ DIP16
LM301AN 1002 NS 16+ DIP8
LM35DT 1002 NS 16+ TO-220
MC34074AP 1002 SUR 13+ DIP14
TC962CPA 1002 PUCE 15+ DIP8
VB125ASP 1002 STM 16+ SOP-10
LT1084CT-12 1005 LT 16+ TO220
XC2C64A-7VQG44C 1005 XILINX 14+ QFP44
30344 560 BOSCH 14+ QFP
AT93C66A-10SQ-2.7 1008 ATMEL 14+ SOP8
NCP1200AP40 1008 SUR 16+ DIP8
PCA82C250T/N4,118 3000 16+ SOP8
ADM5120PX-AB-T-2 1009 13+ QFP208
TDA8950J 1011 15+ ZIP23
HT8950 1012 HOLTEK 16+ IMMERSION
TDA7384 1012 St 16+ FERMETURE ÉCLAIR
CS5550-ISZ 1022 CIRRUS 14+ SSOP24
LF412CN 1022 NS 14+ DIP8
IR21141SSPBF 1031 IR 14+ SSOP24
XCF04SVOG20C 1034 XILINX 16+ CONCESSION
MC34084P 1050 SUR 16+ DIP-14
DAC1220E 1077 TI 13+ SSOP16
AT91SAM7X256-AU 1088 ATMEL 15+ QFP
74LVX4245MTCX 1100 FSC 16+ TSSOP
ADM2582EBRWZ 1100 ANNONCE 16+ SOP-20

STGP7NC60HD

STGF7NC60HD - STGB7NC60HD

N-CANAL 14A - 600V - ² PAK de TO-220/TO-220FP/D

PowerMESH™ très rapide IGBT

■BAISSE INFÉRIEURE d'ON-VOLTAGE (Vcesat)

■OUTRE DES PERTES INCLUEZ LE COURANT DE QUEUE

■LES PERTES INCLUENT L'ÉNERGIE DE RÉCUPÉRATION DE DIODE

■ABAISSEZ LE RAPPORT DE CRES/CIES

■OPÉRATION À HAUTE FRÉQUENCE JUSQU'À 70 kilohertz

■ANTI DIODE PARALLÈLE DE RÉCUPÉRATION ULTRA-RAPIDE DOUCE MÊME

■PRODUITS DE NOUVELLE GÉNÉRATION AVEC UNE DISTRIBUTION PLUS SERRÉE DE PARAMÈTRE

DESCRIPTION

Utilisant la dernière technologie à haute tension basée sur une disposition brevetée de bande, STMicroelectronics a conçu une famille avancée d'IGBTs, le PowerMESH™ IGBTs, avec des représentations exceptionnelles. Le suffixe « H » identifie une famille optimisée pour des applications à haute fréquence afin de réaliser des représentations de changement très élevées (tfall réduit) mantaining une baisse de basse tension.

APPLICATIONS

■INVERSEURS À HAUTE FRÉQUENCE

■SMPS ET PFC DANS LES LES DEUX COMMUTATEUR DUR ET TOPOLOGIES RÉSONNANTES

■CONDUCTEURS DE MOTEUR

Capacités absolues

Symbole Paramètre Valeur Unité

STGP7NC60HD

STGB7NC60HD

 STGF7NC60HD
VCES Tension de collecteur-émetteur (VGS = 0) 600 V
VECR Tension d'Émetteur-collecteur 20 V
VGE Tension de Porte-émetteur ±20 V
IC Courant de collecteur (continu) à comité technique = 25°C (#) 25 10
IC Courant de collecteur (continu) à comité technique = 100°C (#) 14 6
Missile aux performances améliorées (? 1) Courant de collecteur (pulsé) 50
SI Courant en avant de la diode RMS à comité technique = 25°C 20
PTOT Dissipation totale à comité technique = 25°C 80 25 W
Sous-sollicitation du facteur 0,64 0,20 W/°C
VISO

C.A. de tension de tenue d'isolation.

(t = 1 sec ; Comité technique = 25°C)

 - 2500 V
Tstg Température de stockage – 55 à 150 °C
Tj La température de jonction fonctionnante

(1 ?) durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximale.

Le schéma 1 : Paquet

Le schéma 2 : Schéma de principe interne

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Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

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Image partie # Description
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MOQ:
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