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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Le module de transistor MOSFET de la puissance MRF9030GNR1 actionnent des TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP de PUISSANCE du transistor rf de transistor MOSFET

Le module de transistor MOSFET de la puissance MRF9030GNR1 actionnent des TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP de PUISSANCE du transistor rf de transistor MOSFET

Le module de transistor MOSFET de la puissance MRF9030GNR1 actionnent des TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP de PUISSANCE du transistor rf de transistor MOSFET
Le module de transistor MOSFET de la puissance MRF9030GNR1 actionnent des TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP de PUISSANCE du transistor rf de transistor MOSFET
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
MOUETTE du transistor MOSFET TO-270-2 de rf
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension de Drain-source:
68 volts continu
Tension de Porte-source:
– 0,5, +15 volts continu
Température ambiante de température de stockage:
– °C 65 à +200
La température de jonction fonctionnante:
200 °C
Capacité d'entrée:
49,5 PF
Capacité de sortie:
26,5 PF
Point culminant:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduction

La ligne submicronique de transistor MOSFET de rf

TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP DE PUISSANCE DE RF

Transistors MOSFET latéraux d'Amélioration-mode de N-canal

945 mégahertz, 30 W, 26 transistors MOSFET À BANDE LARGE de PUISSANCE du N-CANAL rf de PARTIE LATÉRALE de V

Conçu pour des applications commerciales et industrielles à bande large avec des fréquences jusqu'à 1,0 gigahertz. La représentation à gain élevé et à bande large de ces dispositifs les rendent idéaux pour le grand-signal, applications d'amplificateur de commun-source dans l'équipement de station de base de 26 volts.

• Deux typiques Tone Performance à 945 mégahertz, 26 volts

De puissance de sortie — 30 watts de PEP

Gain en puissance — DB 19

Efficacité — 41,5%

IMD — – dBc 32,5

• Protection intégrée d'ESD

• Conçu pour la planéité maximum de phase de gain et d'insertion

• Capable de manipuler le 10:1 VSWR, @ 26 volts continu, 945 mégahertz, 30 watts d'onde entretenue de puissance de sortie

• Excellente stabilité thermique

• Caractérisé avec des paramètres équivalents d'impédance de Grand-signal de série

• Dans la bande et la bobine. Suffixe R1 = 500 unités par 32 millimètres, bobine de 13 pouces.

ESTIMATIONS MAXIMUM

Estimation Symbole Valeur Unité
Tension de Drain-source VDSS 68 Volts continu
Tension de Porte-source VGS – 0,5, +15 Volts continu

Dissipation totale de dispositif @ comité technique = 25°C MRF9030R1

Sous-sollicitez au-dessus de 25°C

 Palladium

92

0,53

Watts

W/°C

Dissipation totale de dispositif @ comité technique = 25°C MRF9030SR1

Sous-sollicitez au-dessus de 25°C

 Palladium

117

0,67

Watts

W/°C
Température ambiante de température de stockage Tstg – 65 à +200 °C
La température de jonction fonctionnante TJ 200 °C

DIMENSIONS DE PAQUET

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Q'ty MFG D/C Paquet
BFU710F 15000 15+ SOT-343
PIC16F526-I/SL 5193 PUCE 16+ CONCESSION
LM810M3X-4.63 10000 NSC 15+ SOT-23-3
M95020-WMN6TP 10000 St 16+ CONCESSION
M93S46-WMN6 4686 St 10+ CONCESSION
MCT61 10000 FSC 16+ DIP-8
MAX809LEUR+T 10000 MAXIME 16+ IVROGNE
52271-2079 3653 MOLEX 15+ connecteur
ZVP3306FTA 9000 ZETEX 15+ SOT23
MBR10100G 15361 SUR 16+ TO-220
NTR2101PT1G 38000 SUR 16+ SOT-23
MBRD640CTT4G 17191 SUR 16+ TO-252
NTR4501NT1G 38000 SUR 15+ SOT-23
LM8272MMX 1743 NSC 15+ MSOP-8
NDT014 10000 FAIRCHILD 14+ SOT-223
LM5007MM 1545 NSC 14+ MSOP-8
NRF24L01+ 3840 NORDIQUE 10+ QFN
MI1210K600R-10 30000 ADMINISTRATEUR 16+ SMD
A3144E 25000 ALLÉGRO 13+ TO-92
MP3V5004DP 5784 FREESCALE 13+ CONCESSION

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200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

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30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

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Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

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Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

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DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

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Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

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Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

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Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

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Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
10pcs
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