On Semi / Catalyseur Semi
Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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Tube simple TNP TO-264 de la machine de soudure de FGL40N120ANDTU 40A 1200V IGBT |
IGBT TNP 1200 V 64 A 500 W par le trou TO-264-3
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Fossé IGBT 25A 1200V de FGA25N120ANTD TO-3P TNP |
IGBT TNP et fossé 1200 V 50 A 312 W par le trou TO-3P
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Régulateurs de tension de MMSZ5245BT1G 500mW SOD123 Zener |
Bâti extérieur SOD-123 de la diode Zener 15 V 500 mW ±5%
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Dispositifs antiparasites passagers de tension de SMBJ18A DO-214AA SMBJ Transzorb |
Diode de la bride PIP TV
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Bâti extérieur de la diode 225mW SOT−23 de régulateurs de tension de BZX84C12LT1G Zener |
Bâti extérieur SOT-23-3 (TO-236) de la diode Zener 12 V 250 mW ±5%
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Redresseurs ultra-rapides 100−600V de puissance du mode 16A de commutateur de MUR1620CTG |
Rangée de diode cathode commune de 1 paire 200 V 8A par le trou TO-220-3
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Transistors bipolaires TO-3P de NJW0281G 50W NPN PNP |
Transistor bipolaire (BJT) NPN 250 V 15 A 30 MHz 150 W Trou traversant TO-3P-3L
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Anti Hyperfast diode parallèle 43A 1200V de HGTG11N120CND TNP GBT |
IGBT TNP 1200 V 43 A 298 W par le trou TO-247-3
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Contrôleurs rapides IC MC33340P de batterie de la charge 4.0mV 18V DIP8 |
Multi-chimie 8-PDIP d'IC de chargeur
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MT9D131C12STC-DP Réserve neuve et originale |
CMOS avec le capteur 1600H X 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22) d'image de processeur
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AR0330CS1C12SPKA0-CP mémoire flash IC Nouveau et original stock |
Capteur d'image CMOS 2304H x 1536V 2,2 μm x 2,2 μm 64-CSP (6.28x6.65)
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BAT54HT1G Puce à circuits intégrés électroniques neuve et d'origine |
Bâti extérieur SOD-323 de la diode 30 V 200mA
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BAT54SLT1G Puce à circuits intégrés électroniques neuve et d'origine |
Rangée de diode bâti TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de surface de la connexion de série de 1 paire 30 V 2
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BAT54A Puce à circuits intégrés électroniques neuve et d'origine |
Rangée de diode bâti extérieur commun TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de l'anode 30 V 200mA de 1 paire
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CAT24C08WI-GT3 IC de mémoire flash Nouveau et original |
² C 400 kilohertz 900 NS 8-SOIC d'IC 8Kbit I de mémoire d'EEPROM
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CAT25040P IC de mémoire flash NOUVEAUTE ET ORIGINALE |
Mémoire IC 4Kbit SPI 8-PDIP d'EEPROM
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MC14551BCPG Chips électroniques IC Quad à 2 canaux Multiplexeur analogique |
Commutateur IC de 4 circuits 2:1 280 Ohm 16-PDIP
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TIL117M Composants électroniques mémoire de programme de puce de circuit intégré |
Transistor optoisolant avec sortie de base 7500Vpk 1 canal 6-DIP
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Phototransistor à canal double de MOCD213M 2500Vrms SOIC8 |
Le transistor d'optoisolant a produit 2500Vrms 2 la Manche 8-SOIC
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Circuit de détection de sousvoltage de l'IMMERSION TO92 10mA IC MC34064P-5RAG |
Drain ouvert ou Manche ouverte TO-92 (TO-226) de surveillant du collecteur 1
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Transistor de silicium de la puissance moyenne 0.5A 300V 20W NPN de MJE340G |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 300 V 500 mA 20 W par le trou TO-126
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Redresseurs ultra-rapides de puissance de bâti extérieur d'IC de gestion de puissance de MURS260T3G |
Bâti extérieur SMB de la diode 600 V 2A
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Amplificateurs opérationnels d'approvisionnement simple d'IC de gestion de puissance de LM358DR2G doubles |
Amplificateur à usage général 2 circuits 8-SOIC
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Élimination de boucle au sol d'IC Chip Logic Gate Optocouplers For d'ordinateur de HCPL0600R2 10bps |
La Manche ouverte 5kV/µs CMTI 8-SOIC du collecteur 3750Vrms 1 de l'optoisolant 10Mbps de sortie de l
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Positif de régulateur de commutation de poussée de MC34063ADR2G/1.25V réglable négatif |
Mâle, régulateur de commutation de poussée sortie réglable positive 1.25V 1 1.5A (commutateur) ou né
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diode MM3Z18VT1G de régulateurs de tension de 200mW 18V SOD−323 Zener |
Bâti extérieur SOD-323 de la diode Zener 18 V 300 mW ±6%
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La logique 74OL6011 a produit le collecteur ouvert d'isolant de coupleur optique à grande vitesse opto d'IC 15MBd |
Le collecteur ouvert de l'optoisolant 15MBd de sortie de logique, Schottky a maintenu 5300Vrms 1 la
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Circuit intégré Chip Schottky Clamped 5kV/µS CMTI 6-DIP de 74OL6010 5300Vrms |
Le collecteur ouvert de l'optoisolant 15MBd de sortie de logique, Schottky a maintenu 5300Vrms 1 la
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Contrôleurs de Chip High Performance Current Modded de circuit intégré d'UC3845BD1R2G |
La poussée, positif de régulateur de retour rapide, sortie capable d'isolement avancent, avancent/co
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Diode rectificateur de type pont 1N4007 50 à 1000 volts 1,0 ampère |
Diode 1000 V 1A par le trou DO-41
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Diodes Zener passivées de verre au silicium de 1,0 Watt Diodes Zener passivées de verre à jonction |
Diode Zener 5,1 V 1 W ±5% par le trou DO-41
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NDT456P Transistors à effet de champ à diode rectificatrice mode d'amélioration du canal P |
Le moteur de l'appareil doit être équipé d'un moteur de commande à commande automatique.
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TIP127 stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W par le trou TO-220
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IC mémoire flash FMS6141S5X Nouveau et original |
Paquet d'IC SC-70-5 de pilote vidéo
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FOD2742B IC de mémoire flash NOUVEAUTE ET ORIGINALE |
Le transistor d'optoisolant a produit 2500Vrms 1 la Manche 8-SOIC
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FSUSB30MUX mémoire flash IC Nouveau et original stock |
Commutateur IC d'USB la 1 Manche 10-MSOP
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CAT25040P IC de mémoire flash NOUVEAUTE ET ORIGINALE |
Mémoire IC 4Kbit SPI 8-PDIP d'EEPROM
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CAT25040S-TE13 IC de mémoire flash Nouveau et original |
IC de mémoire EEPROM 4Kbit SPI 10 MHz 40 ns 8-SOIC
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CAT25C08VI IC de mémoire flash neuf et d'origine |
Mémoire IC 8Kbit SPI d'EEPROM 10 mégahertz 8-SOIC
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IC de mémoire flash CAT25010YI-GT3 Nouveau et original |
Mémoire IC 1Kbit SPI 8-TSSOP d'EEPROM
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BAV102 Transistor à effet de champ Nouveau et original |
Bâti extérieur SOD-80 de la diode 150 V 200mA
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Transistor à effet de champ BAV20 |
Diode 200 V 200mA par le trou DO-35
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Transistor à effet de champ BAV21 NEW AND ORIGINAL |
Diode 250 V 200mA par le trou DO-35
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BCP56 stock neuf et original |
Bâti extérieur bipolaire SOT-223-4 du transistor (BJT) NPN 80 V 1,2 A 1 W
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BCP69 stock neuf et original |
Bâti extérieur bipolaire SOT-223-4 du transistor (BJT) PNP 20 V 1,5 A 1 W
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Le détecteur de détecteurs de détecteurs de détecteurs de détecteurs de détecteurs de détecteurs de détecteurs |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 80 V 1 un bâti extérieur SOT-223 (TO-261) de 130MHz 1,5 W
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MJD127T4G stock neuf et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP - Darlington 100 V 8 un bâti 1,75 extérieur de 4MHz W DPAK
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ACTIONS de transistor à effet de champ KSC2073 NOUVELLES ET ORIGINALES |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 150 V 1,5 un 4MHz 25 W par le trou TO-220-3
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Transistor à effet de champ BAV23CLT1G Nouveau et original |
Réseau de diodes 1 paire de cathodes communes 250 V 400mA Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23
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BCP54 FOUTE neuve et originale |
Bâti extérieur bipolaire SOT-223-4 du transistor (BJT) NPN 45 V 1,5 A 1,5 W
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