Fossé IGBT 25A 1200V de FGA25N120ANTD TO-3P TNP
fabricant:
On Semi / Catalyseur Semi
Description:
IGBT TNP et fossé 1200 V 50 A 312 W par le trou TO-3P
Catégorie:
Module d'alimentation IGBT
Prix:
To be negotiated
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Nom de la société:
FGA25N120ANTD
type:
Fossé IGBT de TNP
Actuel:
25A
Voltage:
1200V
Le paquet:
TO-3P
Marque:
Fairchild
Point culminant:
TO-3P NPT Trench IGBT
,25A 1200V NPT Trench IGBT
,FGA25N120ANTD
Introduction
FGA25N120ANTD # à 3P Le NPT a été modifié par la directive 2008/57/CE.25A 1200V
Caractéristiques
• Technologie de la tranchée NPT, coefficient de température positif
• Faible tension de saturation: VCE (sat), type = 2,0 V
@ IC = 25A et TC = 25°C
• Faible perte de commutation: Eoff, typique = 0,96 mJ
@ IC = 25A et TC = 25°C
• Une capacité d'avalanche extrêmement améliorée
Définition
En utilisant la conception exclusive de la tranchée de Fairchild et la technologie avancée du TNP,
les IGBT NPT de 1200 V offrent des performances supérieures en matière de conduction et de commutation,
haute résistance aux avalanches et fonctionnement parallèle facile.
Appliquercation
Cet appareil est bien adapté pour l' application de commutation résonnante ou douce,
comme le chauffage par induction, le four à micro-ondes, etc.
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MOQ:
10pcs