Anti Hyperfast diode parallèle 43A 1200V de HGTG11N120CND TNP GBT
fabricant:
On Semi / Catalyseur Semi
Description:
IGBT TNP 1200 V 43 A 298 W par le trou TO-247-3
Catégorie:
Module d'alimentation IGBT
Prix:
To be negotiated
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
PN:
HGTG11N120CND
Marque:
FSC
Type:
Diode antiparallèle de la Manche IGBT Hyperfast de TNP N
Actuel:
43A
Tension:
1200V
paquet:
TO-247
Point culminant:
IGBT Anti Parallel Hyperfast Diode
,NPT Anti Parallel Hyperfast Diode
,HGTG11N120CND
Introduction
HGTG11N120CND NPT série N canal IGBT antiparallèle diode hyperrapide 43A 1200V
Définition:
Le HGTG11N120CND est une conception IGBT Non-Punch Through (NPT).
Il s'agit d'un nouveau membre de la famille IGBT de commutation haute tension MOS.
Les IGBT combinent les meilleures caractéristiques des MOSFET et des transistors bipolaires.
Cet appareil a l'impédance d'entrée élevée d'un MOSFET et la faible perte de conduction en état d'un transistor bipolaire.
L'IGBT utilisé est du type de développement TA49291.
La diode utilisée est du type de développement TA49189.
L'IGBT est idéal pour de nombreuses applications de commutation haute tension fonctionnant à des fréquences modérées
lorsque des pertes de conduction faibles sont essentielles, telles que: commandes de moteurs à courant alternatif et à courant continu, sources d'alimentation et actionneurs pour les magnénoïdes,
Relais et contactors, anciennement du type de développement TA49303.
Caractéristiques:
• 43A, 1200V, TC = 25oC
• Capacité de commutation SOA de 1200 V
• Temps d'automne typique. . . . . .340ns à TJ = 150oC
• Rating de court-circuit
• Faible perte de conduction
• Modèle SPICE d'impédance thermique
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MOQ:
10pcs