Diodes Zener passivées de verre au silicium de 1,0 Watt Diodes Zener passivées de verre à jonction
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
1N4728A à 1N4764A
DIODE ZENER de silicium de jonction passivée au verre
Caractéristiques
• Un ensemble de mesures de faible visibilité
• Réduction des contraintes
• Faible inductance
• Soudage à haute température: 260°C / 10 secondes aux bornes
• Les emballages en plastique ont une classification d'inflammabilité 94V-O du laboratoire des assureurs
• Des produits normaux et sans Pb sont disponibles:
Normalement: 80 à 95% de Sn, 5 à 20% de Pb
Gratuit de Pb: 98,5% Sn ou plus
Données mécaniques
• Étui: verre moulé DO-41G / plastique moulé DO-41
• Époxy: UL 94V-O retardateur de flamme
• terminaux: conduits axiaux, soudables selon MIL-STD-202,
• Méthode 208 garantie • Polarité: la bande de couleur indique la fin positive
• Position de montage: n'importe quelle position
• Poids: 0,3 grammes
• Informations de commande: Suffixe: -G à commander Emballage en verre moulé Suffixe: -P à commander Emballage en plastique moulé
• Informations sur l'emballage B - 1K par boîte en vrac T/R - 5K par boîte de papier de 13 pouces Rôle T/B - 2,5K par boîte horizontale de ruban adhésif et munitions
RÉSUMÉS maximaux et caractéristiques électriques
Des valeurs nominales à 25 °C à température ambiante, sauf indication contraire.
| Paramètre | le symbole | Valeur | unité |
| Puissance d'évaporation à TAM b = 25O C | PTO T | 1 | 1 W * |
| Température de jonction | TJ | 150 | O C |
| Plage de température de stockage | TSTG | -55 à + 150 | O C |
MT9D131C12STC-DP Réserve neuve et originale
AR0330CS1C12SPKA0-CP mémoire flash IC Nouveau et original stock
BAT54HT1G Puce à circuits intégrés électroniques neuve et d'origine
BAT54SLT1G Puce à circuits intégrés électroniques neuve et d'origine
BAT54A Puce à circuits intégrés électroniques neuve et d'origine
TIL117M Composants électroniques mémoire de programme de puce de circuit intégré
Diode rectificateur de type pont 1N4007 50 à 1000 volts 1,0 ampère
NDT456P Transistors à effet de champ à diode rectificatrice mode d'amélioration du canal P
TIP127 stock nouveau et original
| Image | partie # | Description | |
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MT9D131C12STC-DP Réserve neuve et originale |
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
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AR0330CS1C12SPKA0-CP mémoire flash IC Nouveau et original stock |
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
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BAT54HT1G Puce à circuits intégrés électroniques neuve et d'origine |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
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BAT54SLT1G Puce à circuits intégrés électroniques neuve et d'origine |
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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BAT54A Puce à circuits intégrés électroniques neuve et d'origine |
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TIL117M Composants électroniques mémoire de programme de puce de circuit intégré |
Optoisolator Transistor with Base Output 7500Vpk 1 Channel 6-DIP
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Diode rectificateur de type pont 1N4007 50 à 1000 volts 1,0 ampère |
Diode 1000 V 1A Through Hole DO-41
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NDT456P Transistors à effet de champ à diode rectificatrice mode d'amélioration du canal P |
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
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TIP127 stock nouveau et original |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
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