Diode rectificateur de type pont 1N4007 50 à 1000 volts 1,0 ampère
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
Diode rectificateur de type pont 1N4007 50 à 1000 volts 1,0 ampère
Caractéristique
Construction à couche basse
Faible chute de tension avant
Faible fuite inverseCapacité de courant de surtension avant élevée
La soudure à haute température est garantie:
260°C/10 secondes/.375°C (9,5 mm) de plomb leCM GROUPh à 5 lbs (2,3 kg) de tension
Données mécaniques
Cas: plastique moulé par transfert
poxy: retardateur de flamme de taux UL94V-O
Polarité: bande de couleur désigne l'extrémité de la cathode
Plomb: plomb axial plaqué, soldable selon la méthode MIL-STD-202E 208C
Position de montage: n'importe quelle
Poids: 0,012 onces, 0,33 grammes
RÉSUMÉS maximaux et caractéristiques électriques
· Pour les charges résistives ou inductives à une température ambiante de 25 oC, sauf indication contraire · Pour les charges capacitives, le débit de courant est de 20%
| Voltage RMS maximal | Les symboles | 1N4001 | 1N4002 | 1N4003 | 1N4004 | 1N4005 | 1N4006 | 1N4007 | Unité |
| Voltage de blocage de courant continu maximal |
- Je ne sais pas. |
50 | 100 | 200 |
400 |
600 | 800 | 1000 | V |
| Courant rectifié vers l'avant moyen maximal 0,375 ̊ (9,5 mm) leCM GROUPh de plomb à TA= 25°C | VRS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V |
| Courant de surtension vers l'avant maximal de 8,3 mS, ondes sinusoïdes uniques à moitié superposées sur la charge nominale (méthode JEDEC) | VDC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 100 | V |
| Voltage avant instantané maximal @ 1,0A | (Av) | 1.0 | Une | ||||||
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Retour en courant continu maximalTA = 25°C Courant à courant nominal Blocage en courant continuTA = 100 VVoltage par élément |
- Je vous en prie. | 5.0 | μA | ||||||
| Vf | 50 | μA | |||||||
| Courant inverse maximal à pleine charge, moyenne de cycle complet 0,375 (9,5 mm) leCM GROUPh de plomb à TL=75°C | Je suis | 30 | μA | ||||||
| Capacité typique de jonction (note 1) | Cj | 13 | μA | ||||||
| Résistance thermique typique (note 2) | RθJA | 50 | °C /w | ||||||
| Plage de température de la jonction de fonctionnement | Tj | -55 à +150 | °C | ||||||
| Plage de température de stockage | TGST | -55 à +150 | °C | ||||||
Nom de l'entreprise:
1Mesurée à 1,0 MHz et à une tension inverse appliquée de 4,0 V CC.
2- Résistance thermique de la jonction au terminal 6.0mm2 de plaquettes de cuivre à chaque terminal.
3La taille de la puce est de 40 mm x 40 mm.
MT9D131C12STC-DP Réserve neuve et originale
AR0330CS1C12SPKA0-CP mémoire flash IC Nouveau et original stock
BAT54HT1G Puce à circuits intégrés électroniques neuve et d'origine
BAT54SLT1G Puce à circuits intégrés électroniques neuve et d'origine
BAT54A Puce à circuits intégrés électroniques neuve et d'origine
TIL117M Composants électroniques mémoire de programme de puce de circuit intégré
Diodes Zener passivées de verre au silicium de 1,0 Watt Diodes Zener passivées de verre à jonction
NDT456P Transistors à effet de champ à diode rectificatrice mode d'amélioration du canal P
TIP127 stock nouveau et original
| Image | partie # | Description | |
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MT9D131C12STC-DP Réserve neuve et originale |
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
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AR0330CS1C12SPKA0-CP mémoire flash IC Nouveau et original stock |
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
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BAT54HT1G Puce à circuits intégrés électroniques neuve et d'origine |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
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BAT54SLT1G Puce à circuits intégrés électroniques neuve et d'origine |
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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BAT54A Puce à circuits intégrés électroniques neuve et d'origine |
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TIL117M Composants électroniques mémoire de programme de puce de circuit intégré |
Optoisolator Transistor with Base Output 7500Vpk 1 Channel 6-DIP
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Diodes Zener passivées de verre au silicium de 1,0 Watt Diodes Zener passivées de verre à jonction |
Zener Diode 5.1 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
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NDT456P Transistors à effet de champ à diode rectificatrice mode d'amélioration du canal P |
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
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TIP127 stock nouveau et original |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
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