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epitaxial planar pnp transistor

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mots-clés   [ epitaxial planar pnp transistor ]  Correspondre 26 produits.
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 3 un bâti extérieur D-PAK de 50MHz 1 W
Transistors 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP par le trou à la haute performance 220AB

Transistors 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP par le trou à la haute performance 220AB

Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 10 A 50 W par le trou TO-220
IVROGNE extérieur 23 de bâti des transistors 140MHz 625mW de FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP 3

IVROGNE extérieur 23 de bâti des transistors 140MHz 625mW de FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP 3

Transistor (BJT) bipolaire PNP - DarliCM GROUPon 100 V 800 mA 140MHz bâti extérieur SOT-23-3 de 625
Tension de saturation matérielle de collecteur de silicium de transistors de 2SD1899 NPN PNP basse

Tension de saturation matérielle de collecteur de silicium de transistors de 2SD1899 NPN PNP basse

Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 10 A 50 W par le trou TO-220
Bâti 417mW extérieur de la Manche 60V 300mA (ventres) des transistors P de BSH201,215 NPN PNP (merci)

Bâti 417mW extérieur de la Manche 60V 300mA (ventres) des transistors P de BSH201,215 NPN PNP (merci)

Bâti 417mW (merci) extérieur du P-canal 60 V 300mA (ventres) TO-236AB
2N7002PW la Manche extérieure 60V 310mA (ventres) 260mW des transistors N du bâti NPN PNP

2N7002PW la Manche extérieure 60V 310mA (ventres) 260mW des transistors N du bâti NPN PNP

Bâti 260mW (merci) extérieur du N-canal 60 V 315mA (ventres) SOT-323
Type d'usage universel configuration simple du transistor NPN de C.C 0.15A de 2SD2227STPW 50V

Type d'usage universel configuration simple du transistor NPN de C.C 0.15A de 2SD2227STPW 50V

Transistor (BJT) bipolaire NPN 50 V 150 mA 250MHz 300 mW par le trou SPT
PIMN31,115 Transistor équipé de résistance NPN / PNP 500 MA 50V Transistor à double porte

PIMN31,115 Transistor équipé de résistance NPN / PNP 500 MA 50V Transistor à double porte

Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) 2 NPN - pré-biasé (double) 50V 500mA 420mW Monture de surface 6
TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL de BD140 3 Pin Transistor PNP

TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL de BD140 3 Pin Transistor PNP

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1.5 A 1.25 W Through Hole SOT-32-3
PZT2907A Transistor Mosfet de puissance Transistors à commutation planaire Si-épitaxial

PZT2907A Transistor Mosfet de puissance Transistors à commutation planaire Si-épitaxial

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 1 W Surface Mount SOT-223
Imagepartie #DescriptionfabricantCourantRFQ
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

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Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 3 un bâti extérieur D-PAK de 50MHz 1 W
Transistors 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP par le trou à la haute performance 220AB

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Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 10 A 50 W par le trou TO-220
IVROGNE extérieur 23 de bâti des transistors 140MHz 625mW de FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP 3

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Transistor (BJT) bipolaire PNP - DarliCM GROUPon 100 V 800 mA 140MHz bâti extérieur SOT-23-3 de 625
Tension de saturation matérielle de collecteur de silicium de transistors de 2SD1899 NPN PNP basse

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Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 10 A 50 W par le trou TO-220
Bâti 417mW extérieur de la Manche 60V 300mA (ventres) des transistors P de BSH201,215 NPN PNP (merci)

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Bâti 417mW (merci) extérieur du P-canal 60 V 300mA (ventres) TO-236AB
2N7002PW la Manche extérieure 60V 310mA (ventres) 260mW des transistors N du bâti NPN PNP

2N7002PW la Manche extérieure 60V 310mA (ventres) 260mW des transistors N du bâti NPN PNP
Bâti 260mW (merci) extérieur du N-canal 60 V 315mA (ventres) SOT-323
Type d'usage universel configuration simple du transistor NPN de C.C 0.15A de 2SD2227STPW 50V

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Transistor (BJT) bipolaire NPN 50 V 150 mA 250MHz 300 mW par le trou SPT
PIMN31,115 Transistor équipé de résistance NPN / PNP 500 MA 50V Transistor à double porte

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Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) 2 NPN - pré-biasé (double) 50V 500mA 420mW Monture de surface 6
TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL de BD140 3 Pin Transistor PNP

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Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1.5 A 1.25 W Through Hole SOT-32-3
PZT2907A Transistor Mosfet de puissance Transistors à commutation planaire Si-épitaxial

PZT2907A Transistor Mosfet de puissance Transistors à commutation planaire Si-épitaxial
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 1 W Surface Mount SOT-223
Transistor MOSFET audio planaire épitaxial 2SB1560, de puissance du silicium PNP

Transistor MOSFET audio planaire épitaxial 2SB1560, de puissance du silicium PNP
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
Transistor planaire épitaxial du silicium PNP, transistor MOSFET audio de la puissance 2SB1560

Transistor planaire épitaxial du silicium PNP, transistor MOSFET audio de la puissance 2SB1560
Transistor bipolaire (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50 MHz 100 W Trou traversant TO-3P
Transistors de puissance planaires épitaxiaux de silicium de PNP/NPN 2SC5707 pour la commutation à forte intensité

Transistors de puissance planaires épitaxiaux de silicium de PNP/NPN 2SC5707 pour la commutation à forte intensité
Transistor (BJT) bipolaire NPN 50 V 8 un bâti extérieur TP-FA de 330MHz 1 W
Type planaire épitaxial du silicium PNP de transistor de transistor MOSFET de la puissance 2SB1219A

Type planaire épitaxial du silicium PNP de transistor de transistor MOSFET de la puissance 2SB1219A
Transistor (BJT) bipolaire PNP 50 V 500 mA 200MHz bâti extérieur SMini3-G1 de 150 mW
État original tout neuf planaire épitaxial du silicium SANKEN de transistor de 2SA1295 PNP

État original tout neuf planaire épitaxial du silicium SANKEN de transistor de 2SA1295 PNP
Transistor (BJT) bipolaire PNP 230 V 17 un 35MHz 200 W par le trou MT-200
La carte des transistors BCP55 Chips Surface montent planaire épitaxial de SI

La carte des transistors BCP55 Chips Surface montent planaire épitaxial de SI
Bâti extérieur bipolaire SOT-223-4 du transistor (BJT) NPN 60 V 1,5 A 1,5 W
Transistor de module Mosfet de puissance EMD3T2R à usage général (transistors numériques doubles)

Transistor de module Mosfet de puissance EMD3T2R à usage général (transistors numériques doubles)
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Transistors de puissance TIP2955 complémentaires commutant le transistor MOSFET de puissance faible de transistor MOSFET de puissance

Transistors de puissance TIP2955 complémentaires commutant le transistor MOSFET de puissance faible de transistor MOSFET de puissance
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
TIP3055 transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de transistors de puissance du silicium NPN

TIP3055 transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de transistors de puissance du silicium NPN
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
TRANSISTOR EXTÉRIEUR de BÂTI d'émetteur de MMBT3904-7-F SIGNAL multi du transistor NPN de PETIT

TRANSISTOR EXTÉRIEUR de BÂTI d'émetteur de MMBT3904-7-F SIGNAL multi du transistor NPN de PETIT
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
PETIT transistor MOSFET EXTÉRIEUR IC de puissance de module de transistor MOSFET de puissance de TRANSISTOR de BÂTI du SIGNAL SOT-23 de DDTC123ECA-7-F NPN PRE-BIASED

PETIT transistor MOSFET EXTÉRIEUR IC de puissance de module de transistor MOSFET de puissance de TRANSISTOR de BÂTI du SIGNAL SOT-23 de DDTC123ECA-7-F NPN PRE-BIASED
Transistor bipolaire pré-polarisé (BJT) NPN - Pré-polarisé 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Montage en sur
PCs épitaxiaux du transistor 2L SOT-23 3000 de silicium de MMBT5401 PNP

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Transistor (BJT) bipolaire PNP 150 V 600 mA 300MHz bâti extérieur SOT-23 de 350 mW
Transistor MOSFET à haute tension d'usage universel de puissance de transistor MOSFET de puissance faible du transistor de BC856B SMD (PNP)

Transistor MOSFET à haute tension d'usage universel de puissance de transistor MOSFET de puissance faible du transistor de BC856B SMD (PNP)
Transistor (BJT) bipolaire PNP 65 V 100 mA 150MHz bâti extérieur SOT-23 de 350 mW
Carte électrique du BÂTI PNP de BC858B de TRANSISTOR EXTÉRIEUR de SILICIUM, IC programmable

Carte électrique du BÂTI PNP de BC858B de TRANSISTOR EXTÉRIEUR de SILICIUM, IC programmable
Transistor (BJT) bipolaire PNP 30 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23-3 (TO-236) de 250 mW
Puce instantanée 60V de mémoire du programme IC Chip Color TV IC de diode de redresseur de MMBT2907A-7-F

Puce instantanée 60V de mémoire du programme IC Chip Color TV IC de diode de redresseur de MMBT2907A-7-F
Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 600 mA 200MHz bâti extérieur SOT-23-3 de 300 mW
Type puce originale de pont en diode de redresseur de DDTC143XCA-7-F d'IC de diodes de fournisseur de la Chine de diode de redresseur

Type puce originale de pont en diode de redresseur de DDTC143XCA-7-F d'IC de diodes de fournisseur de la Chine de diode de redresseur
Transistor bipolaire pré-polarisé (BJT) NPN - Pré-polarisé 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Montage en sur
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