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Transistors 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP par le trou à la haute performance 220AB

fabricant:
STMicroelectronics
Description:
Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 10 A 50 W par le trou TO-220
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Caractéristiques
Catégories:
Transistors - bipolaires (BJT) - simples
Type de transistor:
PNP
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
10A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
60V
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
1V @ 400mA, 8A
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
10µA
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
40 @ 4A, 1V
Puissance - maximum:
50W
Point culminant:

resistor equipped transistor

,

epitaxial planar pnp transistor

Introduction

D45H8 NPN PNP Transistors Bipolaire (BJT) Transistors PNP 60V 10A 50W à travers le trou TO-220AB

Transistors de puissance complémentaire

Caractéristiques

■ Faible tension de saturation du collecteur-émetteur

■ Vitesse de commutation rapide


Applications

■ Amplificateur de puissance

■ Circuits de commutation


Définition

Les appareils sont fabriqués dans une technologie planure multi-épitaxielle à basse tension.

Attributs du produit Sélectionnez Tout
Catégories Produits à base de semi-conducteurs discrets
  Transistors - Bipolaire (BJT) - Unique
Produit de fabrication STMicroélectronique
Série -
Emballage Tuyaux
Statut de la partie Dépassé
Type de transistor PNP
Courant - collecteur (Ic) (maximum) 10A
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) 60 V
Vce saturation (max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Courant - Coupe du collecteur (maximum) 10 μA
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V
Puissance maximale 50 W
Fréquence - Transition -
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage À travers le trou
Emballage / boîtier TO-220-3
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Pour les véhicules à moteur

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Courant:
MOQ:
10 PCS