Groupement actuel bipolaire de la puissance 65W HFE des transistors 100V 6A de TIP42C NPN PNP
fabricant:
STMicroelectronics
Description:
Transistor (BJT) bipolaire PNP 100 V 6 A 65 W par le trou TO-220
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Caractéristiques
Catégories:
Transistors - bipolaires (BJT) - simples
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
6A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
100V
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
1.5V @ 600mA, 6A
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
700UA
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
15 @ 3A, 4V
Puissance - maximum:
65W
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
Point culminant:
resistor equipped transistor
,silicon npn power transistors
Introduction
TIP42C NPN PNP Transistors Bipolaire (BJT) Transistors PNP 100V 6A 65W
Caractéristiques
■ Les dispositifs PNP-NPN complémentaires
■ Nouvelles séries améliorées
■ Vitesse de commutation élevée
■ groupe hFE
■ amélioration de la linéarité
Applications
■ Circuits à usage général
■ Amplificateur audio
■ L'alimentation linéaire et la commutation
Définition
Le TIP41C est un transistor de puissance NPN basé sur une technologie de base insulaire dans un emballage en plastique TO-252 qui rend cet appareil adapté aux applications audio, linéaire de puissance et de commutation.Le type PNP complémentaire est TIP42C
| Attributs du produit | Sélectionnez Tout |
| Catégories | Produits à base de semi-conducteurs discrets |
| Transistors - Bipolaire (BJT) - Unique | |
| Produit de fabrication | STMicroélectronique |
| Série | - |
| Emballage | Tuyaux |
| Statut de la partie | Actif |
| Type de transistor | PNP |
| Courant - collecteur (Ic) (maximum) | 6A |
| Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) | 100 V |
| Vce saturation (max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 600mA, 6A |
| Courant - Coupe du collecteur (maximum) | 700 μA |
| Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce | 15 @ 3A, 4V |
| Puissance maximale | 65 W |
| Fréquence - Transition | - |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
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Transistors 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP par le trou à la haute performance 220AB
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
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27.2V Clamp 147A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB (DO-214AA)
2N7002 Diode à puce NOUVEAUTE ET ORIGINALE
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
BCP52-16 RÉSERVE NOUVEAU ET ORIGINAL
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STP110N8F6 stock neuf et original
N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
STP110N7F6 STOCK NEUF ET ORIGINAL
N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
| Image | partie # | Description | |
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MOQ:
10 PCS