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IVROGNE extérieur 23 de bâti des transistors 140MHz 625mW de FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP 3

fabricant:
DIODES
Description:
Transistor (BJT) bipolaire PNP - DarliCM GROUPon 100 V 800 mA 140MHz bâti extérieur SOT-23-3 de 625
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Caractéristiques
Catégories:
Transistors - bipolaires (BJT) - simples
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
800mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
100V
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
1.05V @ 5mA, 1A
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
200nA
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
20000 @ 100mA, 5V
Puissance - maximum:
625mW
Fréquence - transition:
140MHz
Point culminant:

resistor equipped transistor

,

epitaxial planar pnp transistor

Introduction

FMMT734TA NPN PNP Transistors Bipolaire (BJT) Transistors PNP - Groupe DarliCM sur 100V 800mA 140MHz 625mW Monture de surface SOT-23-3

Caractéristiques


 BVCEO > - 100 V 

IC = -800mA Courant continu élevé du collecteur

DarliCM GROUP sur transistor hFE > 20k @ 100mA pour le gain élevé 

Résistance élevée au gain à 5A 

Dissipation de puissance de 625 mW

Groupe complémentaire DarliCM sur le NPN Type: FMMT634 

Totalement exempt de plomb et entièrement conforme à la directive RoHS (notes 1 et 2) 

Il est exempt d'halogène et d'antimonie.

Qualifié selon les normes AEC-Q101 pour une fiabilité élevée

Données mécaniques
 Le cas: SOT23 

Matériau du boîtier: Plastique moulé, “vert” composé moulé 

Classification UL de l' inflammabilité 94V-0 

Sensibilité à l'humidité: niveau 1 par J-STD-020 

Les terminaux: finition des plombs plaqués en étain mat, soudables selon MIL-STD-202, méthode 208

Poids 0,008 grammes (environ)

Attributs du produit Sélectionnez Tout
Catégories Produits à base de semi-conducteurs discrets
  Transistors - Bipolaire (BJT) - Unique
Produit de fabrication Diodes incorporées
Série -
Emballage Tape et bobine (TR)
Statut de la partie Actif
Type de transistor PNP - Groupe DarliCM
Courant - collecteur (Ic) (maximum) 800 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) 100 V
Vce saturation (max) @ Ib, Ic 1.05V @ 5mA, 1A
Courant - Coupe du collecteur (maximum) 200 nA
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce 20000 @ 100mA, 5V
Puissance maximale 625 mW
Fréquence - Transition 140 MHz
Température de fonctionnement -55°C à 150°C (TJ)
Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Le SOT-23-3

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Courant:
MOQ:
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