Bâti 417mW extérieur de la Manche 60V 300mA (ventres) des transistors P de BSH201,215 NPN PNP (merci)
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bâti 417mW (merci) extérieur du P-canal 60 V 300mA (ventres) TO-236AB
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Caractéristiques
Catégories:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Vidangez à la tension de source (Vdss):
60V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C:
300mA (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:
2,5 ohms @ 160mA, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @:
1V @ 1mA (minute)
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:
3nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:
70pF @ 48V
Point culminant:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
Introduction
BSH201 NPN PNP Transistors P-Channel 60V 300mA (Ta) 417mW (Ta) Monture de surface
Transistor BSH201 MOS en mode amélioration du canal P
Les caractéristiques sont les suivantes: • basse tension de seuil VDS = -60 V • commutation rapide • ID compatible au niveau logique = -0,3 A • sous-miniature RDS ((ON) ≤ 2,5 Ω (VGS = -10 V)
DESCRIPTION GENÉRALE Le code PIN SOT23
P-canal, mode d'amélioration, niveau de logique PIN DESCRIPTION, transistor de puissance à effet de champ.Cet appareil a une faible tension de seuil de 1 porte et une commutation extrêmement rapide, ce qui le rend idéal pour les applications alimentées par batterie 2 sources et l'interface numérique haute vitesse. 3 évacuation
Le BSH201 est fourni dans le package de montage de surface en sous-miniature SOT23.
| Attributs du produit | Sélectionnez Tout |
| Catégories | Produits à base de semi-conducteurs discrets |
| Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Produit de fabrication | Nexperia États-Unis Inc. |
| Série | - |
| Emballage | Tape et bobine (TR) |
| Statut de la partie | Actif |
| Type de FET | P-canal |
| Technologie | MOSFET (oxyde de métal) |
| Voltage d'évacuation à la source (Vdss) | 60 V |
| Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C | Pour les véhicules à moteur électrique |
| Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 160mA, 10V |
| Vgs(th) (maximum) @ Id | Le système d'alimentation doit être équipé d'un système d'alimentation électrique. |
| Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs | 3nC @ 10V |
| Vgs (maximum) | ± 20 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds | 70pF @ 48V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 417 mW (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C à 150°C (TJ) |
| Type de montage | Monture de surface |
| Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | TO-236AB: Les résultats de l'enquête |
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MOQ:
3000 PCS