Type d'usage universel configuration simple du transistor NPN de C.C 0.15A de 2SD2227STPW 50V
Caractéristiques
Polarité de transistor:
NPN
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
50V
Tension de collecteur-base VCBO:
60V
Tension basse VEBO d'émetteur:
12V
Courant de collecteur CC maximal:
0.15A
Produit pi de largeur de bande de gain:
250 mégahertz
Température de fonctionnement maximum:
+ 150 C
HFE de gain actuel de C.C maximum:
1200 à 1 mA à 5 V
Point culminant:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
Introduction
2SD2227S NPN PNP Transistors à usage général Transistors 50V 0,15A
Transistors à puissance moyenne ((25V, 1,2V), transistors à usage général ((50V, 0,15A)
Caractéristiques
1) Gain de courant continu élevé.
2) Voltage bas émetteur élevé (VCBO=12V)
3) Faible tension de saturation (type VCE (sat) = 0,3V à IC/IB = 50mA/5mA)
Attribut du produit | Valeur attribuée |
Mode de montage: | DSM/SMT |
Polarité du transistor: | NPN |
La configuration: | Unique |
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max: | 50 V |
Le collecteur- tension de base VCBO: | 60 V |
Émetteur-tension de base VEBO: | 12 V |
Courant maximal du collecteur CC: | 0.15A |
Produit de gain de bande passante fT: | 250 MHz |
Température de fonctionnement maximale: | + 150 °C |
Gain de courant continu hFE max: | 1200 à 1 mA à 5 V |
Courant continu du collecteur: | 0.15A |
Pd - Dissipation de puissance: | 300 mW |
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Courant:
MOQ:
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