Filtres
Filtres
Puces électroniques d'IC
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFS4127TRLPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti D2PAK de la surface 375W (comité technique) du N-canal 200 V 72A (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFS4321PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti D2PAK de la surface 350W (comité technique) du N-canal 150 V 85A (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFS4310ZTRLPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti D2PAK de la surface 250W (comité technique) du N-canal 100 V 120A (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFS38N20DTRLP NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 200 V 43A (comité technique) 3.8W (merci), bâti D2PAK de la surface 300W (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFS3607TRLPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti D2PAK de la surface 140W (comité technique) du N-canal 75 V 80A (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFS4227TRLPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti D2PAK de la surface 330W (comité technique) du N-canal 200 V 62A (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFS4115TRLPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti D2PAK de la surface 375W (comité technique) du N-canal 150 V 195A (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE BCX51-TP |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 1 un 50MHz bâti extérieur SOT-89 de 500 mW
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE BCX51,115 |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 1 un bâti extérieur SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE BCX5116TA |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 1 un bâti extérieur SOT-89-3 de 150MHz 1 W
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE BCX51-16TF |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 1 A bâti extérieur SOT-89 de 500 mW
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE BCX51-16,135 |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 1 un bâti extérieur SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE BCX52-10-TP |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 1 un 50MHz bâti extérieur SOT-89 de 500 mW
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Micron
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE BCX51-16,115 |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 1 un bâti extérieur SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE BCX52-10TF |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 1 A bâti extérieur SOT-89 de 500 mW
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE BCX5210TA |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 1 un bâti extérieur SOT-89-3 de 150MHz 1 W
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE BCX52-10,115 |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 1 un bâti extérieur SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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Produit de fabrication
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ACTIONS de transistor à effet de champ KBU8M-E4/51 NOUVELLES ET ORIGINALES |
Norme monophasé de pont redresseur 1 kilovolt par le trou KBU
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VISHAY
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Le 0H DU MATIN de VS-40TPS ACTIONS de transistor à effet de champ de NOUVELLES ET ORIGINALES |
Thyristor 1,2 kilovolt 55 une récupération standard par le trou TO-247AC
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRLL110TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 100 V 1.5A (comité technique) 2W (merci), bâti SOT-223 de la surface 3.1W (comité technique)
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRL2203NPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 30 V 116A (comité technique) 180W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ KSC2073 NOUVELLES ET ORIGINALES |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 150 V 1,5 un 4MHz 25 W par le trou TO-220-3
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On Semi / Catalyseur Semi
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7309TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Rangée 30V 4A, bâti extérieur 8-SO de transistor MOSFET de 3A 1.4W
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7205TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti 8-SO de la surface 2.5W (comité technique) du P-canal 30 V 4.6A (ventres)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7493TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti 8-SO de la surface 2.5W (comité technique) du N-canal 80 V 9.3A (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7424TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Canal P 30 V 11 A (Ta) 2,5 W (Ta) Montage en surface 8-SO
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Produit de fabrication
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7416TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti 2.5W (merci) extérieur du P-canal 30 V 10A (ventres) 8-SO
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7504TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti extérieur Micro8™ de la rangée 20V 1.7A 1.25W de transistor MOSFET
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7301TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti extérieur 8-SO de la rangée 20V 5.2A 2W de transistor MOSFET
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7240TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti 2.5W (merci) extérieur du P-canal 40 V 10.5A (ventres) 8-SO
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7317TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Rangée 20V 6.6A, bâti extérieur 8-SO de transistor MOSFET de 5.3A 2W
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7495TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti 2.5W (merci) extérieur du N-canal 100 V 7.3A (ventres) 8-SO
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7324TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti extérieur 8-SO de la rangée 20V 9A 2W de transistor MOSFET
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7451TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti 2.5W (merci) extérieur du N-canal 150 V 3.6A (ventres) 8-SO
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7316TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti extérieur 8-SO de la rangée 30V 4.9A 2W de transistor MOSFET
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ SFH615A-2 NOUVELLES ET ORIGINALES |
Le transistor d'optoisolant a produit 5300Vrms 1 la Manche 4-DIP
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Produit de fabrication
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7105TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Rangée 25V 3.5A, bâti extérieur 8-SO de transistor MOSFET de 2.3A 2W
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7842TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti 2.5W (merci) extérieur du N-canal 40 V 18A (ventres) 8-SO
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ SI7615ADN-T1-GE3 NOUVELLES ET ORIGINALES |
P-canal 20 V 35A (comité technique) 3.7W (merci), bâti 52W (comité technique) extérieur PowerPAK® 12
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFP264PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 250 V 38A (comité technique) 280W (comité technique) par le trou TO-247AC
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFP460LCPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 500 V 20A (comité technique) 280W (comité technique) par le trou TO-247AC
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFP064NPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 55 V 110A (comité technique) 200W (comité technique) par le trou TO-247AC
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFP4568PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 150 V 171A (comité technique) 517W (comité technique) par le trou TO-247AC
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFP4368PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 75 V 195A (comité technique) 520W (comité technique) par le trou TO-247AC
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFPG50PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 1000 V 6.1A (comité technique) 190W (comité technique) par le trou TO-247AC
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFP3206PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 60 V 120A (comité technique) 280W (comité technique) par le trou TO-247AC
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFP4710PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 100 V 72A (comité technique) 190W (comité technique) par le trou TO-247AC
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFP7430PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 40 V 195A (comité technique) 366W (comité technique) par le trou TO-247AC
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFP22N50APBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 500 V 22A (comité technique) 277W (comité technique) par le trou TO-247AC
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFP064VPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 60 V 130A (comité technique) 250W (comité technique) par le trou TO-247AC
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Infineon
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