Filtres
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Puces électroniques d'IC
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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BAT120C,115 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Rangée de diode bâti commun TO-261-4, TO-261AA de surface de la cathode 25 V 1A (C.C) de 1 paire
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Produit de fabrication
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BAT54A NOUVEAU ET STOCK D'ORIGINE |
Rangée de diode bâti commun TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de surface de l'anode 30 V 200mA (C.C) de 1 pa
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Produit de fabrication
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BAT54A NOUVEAU ET STOCK D'ORIGINE |
Rangée de diode bâti extérieur commun TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de l'anode 30 V 200mA de 1 paire
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Produit de fabrication
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BC857C,235 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur TO-236AB de 250 mW
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Produit de fabrication
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BC856W,115 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 65 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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Produit de fabrication
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BC856W STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 65 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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Produit de fabrication
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Inductance à montage en surface BC847W Stock neuf et d'origine |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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Produit de fabrication
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Transistor haute tension BC848B Stock neuf et d'origine |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 30 V 100 mA 300MHz bâti extérieur SOT-23-3 (TO-236) de 250 mW
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ BC847C STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ BC847W STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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Produit de fabrication
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Transistor de puissance BC856B Stock neuf et d'origine |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 65 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23-3 (TO-236) de 250 mW
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Produit de fabrication
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Transistor haute tension BC856B Stock neuf et d'origine |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 65 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
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Produit de fabrication
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Transistor haute fréquence BC848B Stock neuf et original |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 30 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ BC847BW STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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Produit de fabrication
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Transistor de puissance BC856B Stock neuf et d'origine |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 65 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
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Produit de fabrication
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BC847BPN, 125 Transistor à effet de champ STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Rangée bipolaire NPN, bâti extérieur 6-TSSOP du transistor (BJT) de PNP 45V 100mA 100MHz 300mW
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ BC847BW STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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Produit de fabrication
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Inductance à montage en surface BC856W-QF Stock neuf et d'origine |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 65 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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Produit de fabrication
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Inducteur réglable BC856W-QX stock neuf et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 65 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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Produit de fabrication
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Inducteur réglable BC856S Stock neuf et d'origine |
Bâti extérieur bipolaire SOT-363 de la rangée 2 PNP 65V 100mA 100MHz 200mW du transistor (BJT)
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Produit de fabrication
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BC857A STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23-3 (TO-236) de 250 mW
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Produit de fabrication
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BC857BW STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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Produit de fabrication
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BC857BW STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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Produit de fabrication
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BC857BW STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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Produit de fabrication
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BC857C STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 100 mA 150MHz bâti extérieur SOT-23 de 350 mW
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Produit de fabrication
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BC857C STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
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Produit de fabrication
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BC857W,135 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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Produit de fabrication
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BC857W STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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Produit de fabrication
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BCM857BS, 115 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
La rangée bipolaire 2 PNP du transistor (BJT) (double) a assorti le bâti extérieur 6-TSSOP des paire
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Produit de fabrication
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BC858B STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 30 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
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Produit de fabrication
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BCM857BS-7-F STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti extérieur bipolaire SOT-363 de la rangée 2 PNP (double) 45V 100mA 100MHz 200mW du transistor (B
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Produit de fabrication
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BCP51 NOUVEAU ET STOCK D'ORIGINE |
Bâti extérieur bipolaire SOT-223-4 du transistor (BJT) PNP 45 V 1,5 A 1 W
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Produit de fabrication
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BCP51 NOUVEAU ET STOCK D'ORIGINE |
Bâti extérieur bipolaire SOT-223-4 du transistor (BJT) PNP 45 V 1,5 A 1 W
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On Semi / Catalyseur Semi
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SM8S33AHE3/2D NOUVEAU ET STOCK D'ORIGINE |
53.3V bâti extérieur DO-218AB de diode de la bride 124A PIP TV
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VISHAY
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IRFH7085TRPBF STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti PQFN (5x6) de la surface 156W (comité technique) du N-canal 60 V 100A (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE SIR468DP-T1-GE3 |
N-canal 30 V 40A (comité technique) 5W (merci), bâti PowerPAK® SO-8 de la surface 50W (comité techni
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFU024NPBF |
N-canal 55 V 17A (comité technique) 45W (comité technique) par le trou IPAK (TO-251AA)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFR3910TRPBF |
Bâti D-PAK de la surface 79W (comité technique) du N-canal 100 V 16A (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFR24N15DTRPBF |
Bâti D-PAK de la surface 140W (comité technique) du N-canal 150 V 24A (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFR9024NTRPBF |
Bâti D-PAK de la surface 38W (comité technique) du P-canal 55 V 11A (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFR120NTRPBF |
Bâti D-PAK de la surface 48W (comité technique) du N-canal 100 V 9.4A (comité technique)
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Puce
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFR220NTRPBF |
Bâti D-PAK de la surface 43W (comité technique) du N-canal 200 V 5A (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE SIHG20N50C-E3 |
N-canal 500 V 20A (comité technique) 250W (comité technique) par le trou TO-247AC
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRLU024NPBF |
N-canal 55 V 17A (comité technique) 45W (comité technique) par le trou IPAK (TO-251AA)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE 40L15CTPBF |
Rangée de diode cathode commune de 1 paire 15 V 20A par le trou TO-220-3
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'APT15DQ100KG |
Diode 1000 V 15A par le trou TO-220 [K]
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Puce
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE SIRA04DP-T1-GE3 |
N-canal 30 V 40A (comité technique) 5W (merci), bâti PowerPAK® SO-8 de la surface 62.5W (comité tech
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE 16CTQ100 |
Rangée de diode cathode commune de 1 paire 100 V 8A par le trou TO-220-3
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ de VS-16CTU04STRLPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Rangée de diode bâti extérieur commun TO-263-3, ² PAK (2 avances + étiquettes) de la cathode 400 V 8
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFR3410TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 100 V 31A (comité technique) 3W (merci), bâti D-PAK de la surface 110W (comité technique)
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Infineon
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