Filtres
Filtres
Puces électroniques d'IC
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFR7440TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti PG-TO252-3 de la surface 140W (comité technique) du N-canal 40 V 90A (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFR210TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 200 V 2.6A (comité technique) 2.5W (merci), bâti D-PAK de la surface 25W (comité technique)
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFR420ATRLPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti D-PAK de la surface 83W (comité technique) du N-canal 500 V 3.3A (comité technique)
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFR320TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 400 V 3.1A (comité technique) 2.5W (merci), bâti D-PAK de la surface 42W (comité technique)
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ de VS-80CPQ020PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Rangée de diode cathode commune de 1 paire 20 V 40A par le trou TO-247-3
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ de VS-80CPQ150PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Rangée de diode cathode commune de 1 paire 150 V 40A par le trou TO-247-3
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRLML2502TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti 1.25W (merci) extérieur du N-canal 20 V 4.2A (ventres) Micro3™/SOT-23
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRLML0060TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti 1.25W (merci) extérieur du N-canal 60 V 2.7A (ventres) Micro3™/SOT-23
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRLML6302TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti 540mW (merci) extérieur du P-canal 20 V 780mA (ventres) Micro3™/SOT-23
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRLML0030TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti 1.3W (merci) extérieur du N-canal 30 V 5.3A (ventres) Micro3™/SOT-23
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ de V40150C-E3/4W NOUVELLES ET ORIGINALES |
Rangée de diode cathode commune de 1 paire 150 V 20A par le trou TO-220-3
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ 6N137 NOUVELLES ET ORIGINALES |
La Manche ouverte 10kV/µs (type) CMTI 8-DIP du collecteur 2500Vrms 1 de l'optoisolant 10Mbps de sort
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On Semi / Catalyseur Semi
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF1010EPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 60 V 84A (comité technique) 200W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Produit de fabrication
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF1407PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 75 V 130A (comité technique) 330W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Produit de fabrication
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ACTIONS de transistor à effet de champ IRF135S203 NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti PG-TO263-3-2 de la surface 441W (comité technique) du N-canal 135 V 129A (comité technique)
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Produit de fabrication
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF1404ZPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 40 V 180A (comité technique) 200W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Produit de fabrication
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF1324S-7P NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti D2PAK (7-Lead) de surface du N-canal 24 V 240A (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRLB4132PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 30 V 78A (comité technique) 140W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRL8113PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 30 V 105A (comité technique) 110W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ de FMX-4202S NOUVELLES ET ORIGINALES |
Rangée de diode cathode commune de 1 paire 200 V 20A par le plein paquet du trou TO-3P-3
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Produit de fabrication
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRL3705ZPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 55 V 75A (comité technique) 130W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF9540NPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
P-canal 100 V 23A (comité technique) 140W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF1404STRLPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 40 V 162A (comité technique) 3.8W (merci), bâti D2PAK de la surface 200W (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF9530NSTRLPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
P-canal 100 V 14A (comité technique) 3.8W (merci), bâti D2PAK de la surface 79W (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF9Z24NPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
P-canal 55 V 12A (comité technique) 45W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF9540NSTRLPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
P-canal 100 V 23A (comité technique) 3.1W (merci), bâti D2PAK de la surface 110W (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF9540PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
P-canal 100 V 19A (comité technique) 150W (comité technique) par le trou TO-220AB
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF9640STRLPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
P-canal 200 V 11A (comité technique) 3W (merci), 125W (comité technique) ² PAK (TO-263) du bâti D de
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF9530NPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
P-canal 100 V 14A (comité technique) 79W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ VS-ETH1506S-M3 NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti extérieur TO-263AB (² PAK de la diode 600 V 15A de D)
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF9640PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
P-canal 200 V 11A (comité technique) 125W (comité technique) par le trou TO-220AB
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF3808PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 75 V 140A (comité technique) 330W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF3710STRLPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti D2PAK de la surface 200W (comité technique) du N-canal 100 V 57A (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF3205ZPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 55 V 75A (comité technique) 170W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF3710PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 100 V 57A (comité technique) 200W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF3205PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 55 V 110A (comité technique) 200W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF3205STRLPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti D2PAK de la surface 200W (comité technique) du N-canal 55 V 110A (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF3710ZPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 100 V 59A (comité technique) 160W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF3808SPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti D2PAK de la surface 200W (comité technique) du N-canal 75 V 106A (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ SIR688DP-T1-GE3 NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 60 V 60A (comité technique) 5.4W (merci), bâti PowerPAK® SO-8 de la surface 83W (comité tech
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ 2SB1184-Q-TP NOUVELLES ET ORIGINALES |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 50 V 3 un bâti extérieur D-PAK de 70MHz 1 W
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Produit de fabrication
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ACTIONS de transistor à effet de champ de BYG10M-E3/TR NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti extérieur DO-214AC (SMA) de la diode 1000 V 1.5A
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF2805PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 55 V 75A (comité technique) 330W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF2804STRLPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti D2PAK de la surface 300W (comité technique) du N-canal 40 V 75A (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF2807PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 75 V 82A (comité technique) 230W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF2907ZPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 75 V 160A (comité technique) 300W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF2805STRLPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti D2PAK de la surface 200W (comité technique) du N-canal 55 V 135A (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF2804PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 40 V 75A (comité technique) 300W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ de CYRF69103-40LTXC NOUVELLES ET ORIGINALES |
IC rf TxRx + MCU général ISM > 1GHz 2.4GHz 40-VFQFN a exposé la protection
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFS7530TRLPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti PG-TO263-2 de la surface 375W (comité technique) du N-canal 60 V 195A (comité technique)
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Infineon
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