Filtres
Filtres
Puces électroniques d'IC
Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IXTQ130N10T NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 100 V 130A (comité technique) 360W (comité technique) par le trou TO-3P
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Produit de fabrication
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ACTIONS de transistor à effet de champ 6N137 NOUVELLES ET ORIGINALES |
La Manche ouverte 1kV/µs CMTI 8-DIP du drain 5300Vrms 1 de l'optoisolant 10MBd de sortie de logique
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ de VS-85CNQ015APBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Rangée de diode bâti commun D-61-8 de châssis de la cathode 15 V 40A de 1 paire
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VISHAY
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VS-HFA16PA60CPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL STOCK |
Rangée de diode cathode commune de 1 paire 600 V 8A (C.C) par le trou TO-247-3
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ de HFA08TB60PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Diode 600 V 8A Traversant TO-220AC
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF1405PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 55 V 169A (comité technique) 330W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ HFA08PB60 NOUVELLES ET ORIGINALES |
La diode 600 V 8A par le trou TO-247AC a modifié
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ de VS-HFA08SD60STRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti extérieur D-PAK (TO-252AA) de la diode 600 V 8A
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ 80CNQ045ASM NOUVELLES ET ORIGINALES |
Rangée de diode cathode commune de 1 paire 45 V 40A par le trou D-61-8-SM
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF1010EPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 60 V 84A (comité technique) 200W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF1018EPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 60 V 79A (comité technique) 110W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ IRF100B201 NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 100 V 192A (comité technique) 441W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRF1407STRLPBF STOCK NEUF ET ORIGINAL |
N-canal 75 V 100A (comité technique) 3.8W (merci), bâti D2PAK de la surface 200W (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ IRF135S203 NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti PG-TO263-3-2 de la surface 441W (comité technique) du N-canal 135 V 129A (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF1404ZPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 40 V 180A (comité technique) 200W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF1324S-7PPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti D2PAK (7-Lead) de la surface 300W (comité technique) du N-canal 24 V 240A (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF1312PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 80 V 95A (comité technique) 3.8W (merci), 210W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF1404ZSTRLPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti PG-TO263-3 de la surface 200W (comité technique) du N-canal 40 V 180A (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF1404LPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 40 V 162A (comité technique) 3.8W (merci), 200W (comité technique) par le trou TO-262
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF1404STRLPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 40 V 162A (comité technique) 3.8W (merci), bâti D2PAK de la surface 200W (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRLB3034PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Canal N 40 V 195 A (Tc) 375 W (Tc) Trou traversant TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRLB3036PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 60 V 195A (comité technique) 380W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRLB4132PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 30 V 78A (comité technique) 140W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRLB3813PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 30 V 260A (comité technique) 230W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFD120PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 100 V 1.3A (ventres) 1.3W (ventres) par le trou 4-HVMDIP
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFD110PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 100 V 1A (ventres) 1.3W (ventres) par le trou 4-HVMDIP
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRL8113PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 30 V 105A (comité technique) 110W (comité technique) par le trou TO-220AB
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On Semi / Catalyseur Semi
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ACTIONS de transistor à effet de champ de V30100C-E3/4W NOUVELLES ET ORIGINALES |
Matrice de diodes 1 paire de cathodes communes 100 V 15 A Trou traversant TO-220-3
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFR7540TRPBF |
Bâti D-PAK (TO-252AA) de la surface 140W (comité technique) du N-canal 60 V 90A (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFR3806TRPBF |
Bâti D-PAK de la surface 71W (comité technique) du N-canal 60 V 43A (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFR5305TRPBF |
Bâti D-PAK de la surface 110W (comité technique) du P-canal 55 V 31A (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFU220NPBF |
N-canal 200 V 5A (comité technique) 43W (comité technique) par le trou IPAK (TO-251AA)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFR3709ZTRPBF |
Bâti D-PAK de la surface 79W (comité technique) du N-canal 30 V 86A (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFR1018ETRPBF |
Bâti D-PAK de la surface 110W (comité technique) du N-canal 60 V 56A (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFU5410PBF |
P-canal 100 V 13A (comité technique) 66W (comité technique) par le trou IPAK (TO-251AA)
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFU9120NPBF |
P-canal 100 V 6.6A (comité technique) 40W (comité technique) par le trou IPAK (TO-251AA)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFU9024NPBF |
P-canal 55 V 11A (comité technique) 38W (comité technique) par le trou IPAK (TO-251AA)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFU3910PBF |
N-canal 100 V 16A (comité technique) 79W (comité technique) par le trou IPAK (TO-251AA)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE 2W10G-E4/51 |
Norme monophasé de pont redresseur 1 kilovolt par le MÉTÈQUE de trou
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFZ34NPBF |
N-canal 55 V 29A (comité technique) 68W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFZ44VPBF |
N-canal 60 V 55A (comité technique) 115W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFZ24NPBF |
N-canal 55 V 17A (comité technique) 45W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFZ44NSTRLPBF |
N-canal 55 V 49A (comité technique) 3.8W (merci), bâti D2PAK de la surface 94W (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFZ48NSTRLPBF |
N-canal 55 V 64A (comité technique) 3.8W (merci), bâti D2PAK de la surface 130W (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFZ44E |
Canal N 60 V 48 A (Tc) 110 W (Tc) Traversant TO-220AB
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'APC-817C1-SL |
Le transistor d'optoisolant a produit 5000Vrms 1 la Manche 4-SMD
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE 1N4148WS-E3-08 |
Bâti extérieur SOD-323 de la diode 75 V 150mA
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-12CWQ10FNTRPBF |
Barrette de diodes 1 paire cathode commune 100 V 6A montage en surface TO-252-3, DPak (2 fils + lang
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE 25CTQ045 |
Rangée de diode cathode commune de 1 paire 45 V par le trou TO-220-3
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE LVR055S |
Fusible réglable polymère 240V (265V international) de ptc 550 mA Ih par le radial de trou, disque
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Produit de fabrication
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