Filtres
Filtres
Puces électroniques d'IC
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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Transistor à effet de champ IRF3710PBF STOCK NEUF ET ORIGINAL |
N-canal 100 V 57A (comité technique) 200W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ IRF3808PBF STOCK NEUF ET ORIGINAL |
N-canal 75 V 140A (comité technique) 330W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ IRF3808SPBF STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti D2PAK de la surface 200W (comité technique) du N-canal 75 V 106A (comité technique)
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ 2SB1184TLP STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 50 V 3 un bâti extérieur CPT3 de 70MHz 1 W
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ IRF2805PBF STOCK NEUF ET ORIGINAL |
N-canal 55 V 75A (comité technique) 330W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ IRF2907ZPBF STOCK NEUF ET ORIGINAL |
IRF2907 - PRISONNIER DE GUERRE DU N-CANAL 12V-300V
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ CYRF69103-40LTXC STOCK NEUF ET ORIGINAL |
IC rf TxRx + MCU général ISM > 1GHz 2.4GHz 40-VFQFN a exposé la protection
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ IRFS4321PBF STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti D2PAK de la surface 350W (comité technique) du N-canal 150 V 85A (comité technique)
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ IRFS4610TRLPBF STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti D2PAK de la surface 190W (comité technique) du N-canal 100 V 73A (comité technique)
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRFS4227TRLPBF STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti D2PAK de la surface 330W (comité technique) du N-canal 200 V 62A (comité technique)
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ IRFS4410ZTRLPBF STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti PG-TO263-3 de la surface 230W (comité technique) du N-canal 100 V 97A (comité technique)
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRFS4010TRLPBF STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti D2PA de la surface 375W (comité technique) du N-canal 100 V 180A (comité technique)
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRFS4010-7PPBF STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti D2PAK de la surface 380W (comité technique) du N-canal 100 V 190A (comité technique)
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Infineon
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Transistor à effet de champ SMBJ20A-E3/52 STOCK NEUF ET ORIGINAL |
32.4V bâti extérieur DO-214AA (SMBJ) de diode de la bride 18.5A PIP TV
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VISHAY
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SMBJ11CA-E3/52 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL STOCK |
18.2V bâti extérieur DO-214AA (SMBJ) de diode de la bride 33A PIP TV
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VISHAY
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SMBJ18CA-E3/52 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL STOCK |
29.2V bâti extérieur DO-214AA (SMBJ) de diode de la bride 20.5A PIP TV
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VISHAY
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VS-30ETH06SPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL STOCK |
Bâti extérieur TO-263AB (² PAK de la diode 600 V 30A de D)
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VISHAY
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BC847BPN,165 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Rangée bipolaire NPN, bâti extérieur 6-TSSOP du transistor (BJT) de PNP 45V 100mA 100MHz 300mW
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Produit de fabrication
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PMBS3904,215 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 40 V 100 mA 180MHz bâti extérieur TO-236AB de 250 mW
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Produit de fabrication
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PHKD6N02LT,518 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti extérieur 8-SO de la rangée 20V 10.9A 4.17W de transistor MOSFET
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Produit de fabrication
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BC817-40 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 800 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23-3 (TO-236) de 310 mW
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Produit de fabrication
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BAS316 NOUVEAU ET STOCK D'ORIGINE |
Bâti extérieur SOD-323 de la diode 100 V 250mA
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Produit de fabrication
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BSS123 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti extérieur SOT-23-3 du N-canal 100 V 200mA 350mW (ventres)
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On Semi / Catalyseur Semi
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PMBT3906YS, Diode à puce 115 NOUVELLE ET ORIGINE STOCK |
Bâti extérieur bipolaire 6-TSSOP de la rangée 2 PNP (double) 40V 200mA 250MHz 350mW du transistor (B
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Produit de fabrication
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Diode à puce PBSS5350D STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 50 V 3 un 100MHz bâti extérieur 6-TSOP de 750 mW
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Produit de fabrication
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Diode à puce PMBT4403,235 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 40 V 600 mA 200MHz bâti extérieur TO-236AB de 250 mW
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Produit de fabrication
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Diode à puce BCX56-16,135 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 80 V 1 un bâti 1,25 extérieur de 180MHz W SOT-89
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Produit de fabrication
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PESD12VS1UL, Diode à puce 315 NOUVEAU ET STOCK D'ORIGINE |
35V bâti extérieur DFN1006-2 de diode de la bride 5A (8/20µs) PIP TV
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Produit de fabrication
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Diode à puce BZX79-B10,113 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Diode Zener 10 V 400 mW ±2% par le trou ALF2
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Produit de fabrication
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Diode à puce BCP56 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti extérieur bipolaire SOT-223-4 du transistor (BJT) NPN 80 V 1,2 A 1 W
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On Semi / Catalyseur Semi
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BT139-800G, Diode à puce 127 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Norme 800 V 16 A de TRIAC par le trou TO-220AB
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Produit de fabrication
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Diode à puce BSS123 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti 350mW (merci) extérieur du N-canal 100 V 200mA (ventres) SOT-23
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Produit de fabrication
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Diode à puce RUSBF110-2 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Fusible réglable polymère 16V 1,1 de ptc un Ih par le radial de trou, disque
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Produit de fabrication
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Diode à puce PESD1CAN-UX STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
50V bâti extérieur SOT-323 de diode de la bride 3A (8/20µs) PIP TV
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Produit de fabrication
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Diode à puce PUMD3,125 STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Transistor bipolaire Pré-décentré (BJT) 1 NPN, 1 PNP - (double) bâti extérieur Pré-décentré 6-TSSOP
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Produit de fabrication
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PSMN7R0-100PS, Diode à puce 127 NOUVEAU ET STOCK D'ORIGINE |
N-canal 100 V 100A (comité technique) 269W (comité technique) par le trou TO-220AB
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NXP
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Diode à puce BC817-40-7-F STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 500 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23-3 de 310 mW
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Produit de fabrication
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PDTC114YE, 135 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor bipolaire Pré-décentré (BJT) NPN - 50 V Pré-décentrés 100 mA bâti extérieur SC-75 de 150
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NXP
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Diode à puce BAV170 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Rangée de diode bâti commun TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de surface de la cathode 85 V 125mA (C.C) de 1
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Produit de fabrication
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Diode à puce BCX51-10,115 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 1 un bâti extérieur SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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Produit de fabrication
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Diode à puce PMBT2907AYSX STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti extérieur bipolaire 6-TSSOP de la rangée 2 NPN (double) 60V 600mA 200MHz 550mW du transistor (B
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Produit de fabrication
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Diode à puce BAV23S STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Rangée de diode bâti extérieur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la connexion de série de 1 paire 250 V 2
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Produit de fabrication
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Diode à puce PESD3V3L1BA STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
24V bâti extérieur SOD-323 de diode de la bride 20A (8/20µs) PIP TV
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Produit de fabrication
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PUMD3,135 Chip Diode STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor bipolaire Pré-décentré (BJT) 1 NPN, 1 PNP - (double) bâti extérieur Pré-décentré 6-TSSOP
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Produit de fabrication
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Diode à puce BCX55-10,115 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 60 V 1 un bâti 1,25 extérieur de 180MHz W SOT-89
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Produit de fabrication
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PMEG4005AEA, Diode à puce 115 NOUVEAU ET STOCK D'ORIGINE |
Bâti extérieur SOD-323 de la diode 40 V 500mA
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Produit de fabrication
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Diode à puce BCP53-16 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 80 V 1 un bâti extérieur SOT-223 de 50MHz 1,6 W
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STMicroelectronics
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Diode à puce PUMD9 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor bipolaire Pré-décentré (BJT) 1 NPN, 1 PNP - (double) bâti extérieur Pré-décentré 6-TSSOP
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Produit de fabrication
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Diode à puce BC817-40 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 800 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23-3 (TO-236) de 310 mW
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Produit de fabrication
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Diode à puce BAT54 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti extérieur SOT-23 de la diode 30 V 200mA
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Produit de fabrication
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